半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统

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申请号
CN202211371002.2
申请日
2022-11-03
公开(公告)号
CN115639455A
公开(公告)日
2023-01-24
发明(设计)人
朱建新
申请人
申请人地址
132000 吉林省吉林市高新区深圳街99号
IPC主分类号
G01R3126
IPC分类号
代理机构
成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310
代理人
唐维虎
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体器件同步结温测试的方法 [P]. 
李飞 ;
朱雅鸽 ;
安海华 ;
田晓晨 ;
韩冰 .
中国专利 :CN115166468B ,2025-06-06
[2]
测量半导体器件的结温的方法 [P]. 
G·法卡斯 ;
Z·萨卡尼 .
美国专利 :CN117940747A ,2024-04-26
[3]
一种半导体器件结温测试的加热装置 [P]. 
李科 ;
蔡少峰 .
中国专利 :CN202334935U ,2012-07-11
[4]
用于测试半导体器件的方法和半导体器件测试系统 [P]. 
K·B·埃令顿 ;
K·J·迪克森 .
中国专利 :CN101889337A ,2010-11-17
[5]
半导体器件测试装置和半导体器件测试系统 [P]. 
吴靖宇 ;
岳焕慧 ;
刘怀超 .
中国专利 :CN220568889U ,2024-03-08
[6]
半导体器件测试系统 [P]. 
蒋成明 ;
雷仕建 ;
刘福红 ;
何强 ;
王叙夫 ;
王运 .
中国专利 :CN212364485U ,2021-01-15
[7]
半导体器件测试系统 [P]. 
刘冲 ;
李洁 ;
阚劲松 .
中国专利 :CN303957957S ,2016-12-07
[8]
半导体器件测试系统 [P]. 
张庆勋 ;
吴世京 ;
李应尚 .
中国专利 :CN101932943B ,2010-12-29
[9]
半导体器件及半导体器件的测试方法 [P]. 
龟山祯史 ;
池田昌功 .
日本专利 :CN111380628B ,2024-06-07
[10]
半导体器件及半导体器件的测试方法 [P]. 
龟山祯史 ;
池田昌功 .
中国专利 :CN111380628A ,2020-07-07