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半导体器件及半导体器件的测试方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911280962.6
申请日：
2019-12-13
公开(公告)号：
CN111380628A
公开(公告)日：
2020-07-07
发明(设计)人：
龟山祯史 池田昌功
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
G01K1300
IPC分类号：
G01K1500
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
李辉;郭星
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-07-07 公开 公开
2021-11-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G01K 13/00 申请日:20191213
共 50 条
[1]
半导体器件及半导体器件的测试方法 [P]. 
龟山祯史 ;
池田昌功 .
日本专利 :CN111380628B ,2024-06-07
[2]
半导体器件和用于测试半导体器件的方法 [P]. 
月城玄 .
中国专利 :CN100547424C ,2006-10-04
[3]
半导体器件的测试及半导体器件制造方法 [P]. 
植田刚文 .
中国专利 :CN1157775C ,1999-11-03
[4]
半导体器件及半导体器件的驱动方法 [P]. 
长塚修平 ;
加藤清 ;
松崎隆德 ;
井上广树 .
中国专利 :CN102754162B ,2012-10-24
[5]
半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法 [P]. 
M.科托罗贾 ;
E.格里布尔 ;
J.G.拉文 ;
A.菲利波 .
中国专利 :CN107665882B ,2018-02-06
[6]
半导体器件和测试半导体器件的方法 [P]. 
桥本洁和 ;
常定信利 .
中国专利 :CN101241751B ,2008-08-13
[7]
半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P]. 
重岁卓志 .
日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31
[8]
半导体器件、功率半导体器件及加工半导体器件的方法 [P]. 
J·希尔森贝克 ;
T·弗兰克 ;
J·P·康拉斯 ;
R·拉普 .
中国专利 :CN105655313A ,2016-06-08
[9]
测试半导体器件的探针卡及半导体器件测试方法 [P]. 
丸山茂幸 .
中国专利 :CN1271178A ,2000-10-25
[10]
半导体器件 [P]. 
野村隆夫 ;
森凉 ;
福冈一树 .
中国专利 :CN105390481A ,2016-03-09
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