发光二极管芯片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010225597.1

申请日：

2010-07-13

公开(公告)号：

CN101916817B

公开(公告)日：

2010-12-15

发明(设计)人：

张楠齐胜利朱广敏叶青潘尧波郝茂盛

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3350

IPC分类号：

H01L2178

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-15	公开	公开
2014-01-01	授权	授权
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035093125 IPC(主分类):H01L 33/50 专利申请号:2010102255971 申请日:20100713

共 50 条

[1]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[2]

发光二极管芯片制备方法 [P].

朱迪 ;

肖和平 .

中国专利 :CN112993112B ,2021-06-18

[3]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[4]

倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN212676295U ,2021-03-09

[5]

发光二极管芯片 [P].

洪越 .

中国专利 :CN109545927A ,2019-03-29

[6]

发光二极管芯片的制造方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陶淳 ;

朱广敏 ;

陈诚 ;

张楠 ;

杨杰 .

中国专利 :CN103325892A ,2013-09-25

[7]

倒装发光二极管芯片及其制备方法 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN111653654B ,2024-12-13

[8]

倒装发光二极管芯片及其制备方法 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN111653654A ,2020-09-11

[9]

发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片 [P].

段大卫 ;

马克 ;

马赛罗 .

中国专利 :CN103456844A ,2013-12-18

[10]

倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110085719A ,2019-08-02

← 1 2 3 4 5 →