晶片级封装结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110238827.2

申请日：

2011-08-19

公开(公告)号：

CN102270616A

公开(公告)日：

2011-12-07

发明(设计)人：

博纳德.K.艾皮特凯.艾斯格

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L2331 H01L2160 H01L2156

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-07	公开	公开
2015-03-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101712361061 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2011102388272 申请公布日:20111207
2012-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件序号:101174914903 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2011102388272 申请日:20110819 号牌文件类型代码:1604

共 50 条

[1]

晶片级封装方法及其晶片级封装结构 [P].

陈志明 ;

陈正清 ;

郑静琦 ;

邹庆福 ;

赖腾宪 ;

黄正翰 ;

张君铭 .

中国专利 :CN105098038A ,2015-11-25

[2]

晶片级封装及其制造方法 [P].

韩正勋 ;

朴殷台 ;

河真镐 ;

龙俊佑 .

中国专利 :CN109037424A ,2018-12-18

[3]

晶片级封装及其制造方法 [P].

韩正勋 ;

朴殷台 ;

河真镐 ;

龙俊佑 .

中国专利 :CN109037198A ,2018-12-18

[4]

晶片级封装件及其制造方法 [P].

朴昇旭 ;

罗圣勳 ;

郑载贤 ;

金光洙 ;

李成俊 ;

金龙石 ;

朴东铉 .

韩国专利 :CN117894779A ,2024-04-16

[5]

制造晶片级封装的方法及由此制造的晶片级封装 [P].

金钟薰 ;

金大元 ;

崔亨硕 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN107546134A ,2018-01-05

[6]

晶片级封装结构、封装结构及其制程 [P].

伯恩·卡尔·厄佩尔特 ;

布莱福特·丁·法克特 .

中国专利 :CN101661913A ,2010-03-03

[7]

制造晶片级封装的方法 [P].

田亨镇 ;

李成 ;

权宁度 ;

李钟润 ;

姜埈锡 ;

朴升旭 .

中国专利 :CN101404258B ,2009-04-08

[8]

晶片级封装及制造方法 [P].

C.鲍尔 ;

H.克吕格 ;

J.波特曼 ;

A.施特尔茨尔 ;

W.帕尔 ;

R.科赫 .

中国专利 :CN103443021A ,2013-12-11

[9]

晶片级封装、多封装叠层、及其制造方法 [P].

金亨燮 ;

郑泰敬 .

中国专利 :CN1532924A ,2004-09-29

[10]

具有斜面晶片反射结构的晶片级封装发光装置及其制造方法 [P].

陈杰 ;

王琮玺 .

中国专利 :CN108365075A ,2018-08-03

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