具有斜面晶片反射结构的晶片级封装发光装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710057384.4

申请日：

2017-01-26

公开(公告)号：

CN108365075A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

陈杰王琮玺

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学园区工业东九路29号2楼

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3350 H01L3358 H01L3360

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-18	授权	授权
2018-08-03	公开	公开
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/48 申请日:20170126

共 50 条

[1]

晶片级封装方法及其晶片级封装结构 [P].

陈志明 ;

陈正清 ;

郑静琦 ;

邹庆福 ;

赖腾宪 ;

黄正翰 ;

张君铭 .

中国专利 :CN105098038A ,2015-11-25

[2]

具电极辨识的晶片级封装发光装置及其制造方法 [P].

陈杰 .

中国专利 :CN110148661B ,2019-08-20

[3]

发光装置晶片级封装 [P].

D.A.斯泰格瓦德 .

中国专利 :CN103314457B ,2013-09-18

[4]

晶片级封装结构及其制造方法 [P].

博纳德.K.艾皮特 ;

凯.艾斯格 .

中国专利 :CN102270616A ,2011-12-07

[5]

晶片级发光装置封装件及其制造方法 [P].

黄圣德 .

中国专利 :CN102593316B ,2012-07-18

[6]

晶片级封装及其制造方法 [P].

韩正勋 ;

朴殷台 ;

河真镐 ;

龙俊佑 .

中国专利 :CN109037424A ,2018-12-18

[7]

晶片级封装及其制造方法 [P].

韩正勋 ;

朴殷台 ;

河真镐 ;

龙俊佑 .

中国专利 :CN109037198A ,2018-12-18

[8]

制造晶片级封装的方法及由此制造的晶片级封装 [P].

金钟薰 ;

金大元 ;

崔亨硕 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN107546134A ,2018-01-05

[9]

制造晶片级封装的方法 [P].

田亨镇 ;

李成 ;

权宁度 ;

李钟润 ;

姜埈锡 ;

朴升旭 .

中国专利 :CN101404258B ,2009-04-08

[10]

晶片级封装件及其制造方法 [P].

朴昇旭 ;

罗圣勳 ;

郑载贤 ;

金光洙 ;

李成俊 ;

金龙石 ;

朴东铉 .

韩国专利 :CN117894779A ,2024-04-16

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