抗蚀剂下层膜形成用组合物

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201480021117.6
申请日
2014-04-01
公开(公告)号
CN105143979A
公开(公告)日
2015-12-09
发明(设计)人
桥本圭祐 西卷裕和 新城彻也 染谷安信 柄泽凉 坂本力丸
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
G03F711
IPC分类号
C08G6102 C08L6500 H01L21027
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
黄媛;段承恩
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
井形航维 ;
清水祥 ;
田村护 .
日本专利 :CN117836718A ,2024-04-05
[2]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
绪方裕斗 ;
广原知忠 ;
西卷裕和 ;
中岛诚 .
中国专利 :CN113906077A ,2022-01-07
[3]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
绪方裕斗 ;
广原知忠 ;
西卷裕和 ;
中岛诚 .
日本专利 :CN113906077B ,2024-08-13
[4]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
西卷裕和 ;
中岛诚 ;
桥本圭祐 .
中国专利 :CN112470076A ,2021-03-09
[5]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
绪方裕斗 ;
德永光 ;
西卷裕和 ;
中岛诚 .
中国专利 :CN113544586A ,2021-10-22
[6]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
绪方裕斗 ;
西卷裕和 ;
中岛诚 .
中国专利 :CN114503032A ,2022-05-13
[7]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
广原知忠 ;
绪方裕斗 ;
田村护 .
日本专利 :CN119998732A ,2025-05-13
[8]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
丸山大辅 ;
远藤贵文 ;
岸冈高广 .
日本专利 :CN119013627A ,2024-11-22
[9]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
绪方裕斗 ;
德永光 ;
西卷裕和 ;
中岛诚 .
日本专利 :CN113544586B ,2025-12-19
[10]
抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P]. 
德永光 ;
仓本悠太郎 ;
中岛诚 ;
滨田聪志 ;
三浦克也 .
中国专利 :CN115136074A ,2022-09-30