半导体器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821595465.6
申请日
2018-09-28
公开(公告)号
CN208781820U
公开(公告)日
2019-04-23
发明(设计)人
廖文河 林平杰
申请人
申请人地址
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
陈小雯
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
廖文河 ;
林平杰 .
中国专利 :CN110970319A ,2020-04-07
[2]
半导体器件 [P]. 
M·J·塞登 ;
F·J·卡尔尼 ;
E·伍塞伊 .
中国专利 :CN206864471U ,2018-01-09
[3]
半导体器件 [P]. 
U·博提格 ;
M·A·苏弗里德格 ;
A·E·帕克金斯 .
中国专利 :CN207338376U ,2018-05-08
[4]
半导体器件封装 [P]. 
C·卡奇雅 .
中国专利 :CN205177811U ,2016-04-20
[5]
单片半导体器件和半导体器件 [P]. 
J·W·霍尔 ;
G·M·格里弗纳 .
中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04
[6]
单片半导体器件和半导体器件 [P]. 
J·W·霍尔 ;
G·M·格里弗纳 .
中国专利 :CN208189592U ,2018-12-04
[7]
半导体器件及半导体器件结构 [P]. 
P·莫恩斯 ;
A·维拉莫 ;
P·范米尔贝克 ;
J·罗伊格-吉塔特 ;
F·伯格曼 .
中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02
[8]
半导体器件及半导体器件结构 [P]. 
J·罗伊格-吉塔特 ;
P·莫恩斯 ;
P·范米尔贝克 .
中国专利 :CN203690305U ,2014-07-02
[9]
IGBT半导体器件以及半导体器件 [P]. 
M·库鲁西 ;
J·瓦韦罗 .
中国专利 :CN206697484U ,2017-12-01
[10]
单片半导体器件和半导体器件 [P]. 
J·W·霍尔 ;
G·M·格里弗纳 .
中国专利 :CN207367973U ,2018-05-15