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半导体器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201821595465.6
申请日
:
2018-09-28
公开(公告)号
:
CN208781820U
公开(公告)日
:
2019-04-23
发明(设计)人
:
廖文河
林平杰
申请人
:
申请人地址
:
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号
:
H01L2167
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
陈小雯
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-04-23
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件
[P].
廖文河
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廖文河
;
林平杰
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林平杰
.
中国专利
:CN110970319A
,2020-04-07
[2]
半导体器件
[P].
M·J·塞登
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M·J·塞登
;
F·J·卡尔尼
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F·J·卡尔尼
;
E·伍塞伊
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E·伍塞伊
.
中国专利
:CN206864471U
,2018-01-09
[3]
半导体器件
[P].
U·博提格
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U·博提格
;
M·A·苏弗里德格
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M·A·苏弗里德格
;
A·E·帕克金斯
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A·E·帕克金斯
.
中国专利
:CN207338376U
,2018-05-08
[4]
半导体器件封装
[P].
C·卡奇雅
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C·卡奇雅
.
中国专利
:CN205177811U
,2016-04-20
[5]
单片半导体器件和半导体器件
[P].
J·W·霍尔
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J·W·霍尔
;
G·M·格里弗纳
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G·M·格里弗纳
.
中国专利
:CN208189591U
,2018-12-04
[6]
单片半导体器件和半导体器件
[P].
J·W·霍尔
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J·W·霍尔
;
G·M·格里弗纳
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G·M·格里弗纳
.
中国专利
:CN208189592U
,2018-12-04
[7]
半导体器件及半导体器件结构
[P].
P·莫恩斯
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P·莫恩斯
;
A·维拉莫
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A·维拉莫
;
P·范米尔贝克
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P·范米尔贝克
;
J·罗伊格-吉塔特
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J·罗伊格-吉塔特
;
F·伯格曼
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F·伯格曼
.
中国专利
:CN203690306U
,2014-07-02
[8]
半导体器件及半导体器件结构
[P].
J·罗伊格-吉塔特
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J·罗伊格-吉塔特
;
P·莫恩斯
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P·莫恩斯
;
P·范米尔贝克
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P·范米尔贝克
.
中国专利
:CN203690305U
,2014-07-02
[9]
IGBT半导体器件以及半导体器件
[P].
M·库鲁西
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M·库鲁西
;
J·瓦韦罗
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J·瓦韦罗
.
中国专利
:CN206697484U
,2017-12-01
[10]
单片半导体器件和半导体器件
[P].
J·W·霍尔
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J·W·霍尔
;
G·M·格里弗纳
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G·M·格里弗纳
.
中国专利
:CN207367973U
,2018-05-15
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