硅片背腔刻蚀方法及硅片器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711376878.5

申请日：

2017-12-19

公开(公告)号：

CN108100988A

公开(公告)日：

2018-06-01

发明(设计)人：

陈桥波

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢综合楼

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

B81B100

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295

代理人：

唐静芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-01	公开	公开
2021-04-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81C 1/00 申请公布日:20180601
2018-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20171219

共 50 条

[1]

一种硅片刻蚀液、硅片刻蚀方法及硅片 [P].

高祎璠 ;

刘恒 ;

郑学恒 ;

路浩通 .

中国专利 :CN119529845A ,2025-02-28

[2]

硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法 [P].

卫志敏 ;

肖新民 ;

丁志强 ;

祁宏山 ;

王文杰 ;

彭文龙 .

中国专利 :CN103805998A ,2014-05-21

[3]

硅片刻蚀方法 [P].

孙静 .

中国专利 :CN101179021A ,2008-05-14

[4]

硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法 [P].

陈曦鹏 ;

孙介楠 ;

郭宏雁 .

中国专利 :CN119650468B ,2025-10-31

[5]

硅片边缘刻蚀装置和硅片边缘刻蚀方法 [P].

贾帅 ;

王力 .

中国专利 :CN121149050A ,2025-12-16

[6]

硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法 [P].

陈曦鹏 ;

孙介楠 ;

郭宏雁 .

中国专利 :CN119650468A ,2025-03-18

[7]

硅片刻蚀的方法 [P].

荣延栋 .

中国专利 :CN101197269A ,2008-06-11

[8]

一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统 [P].

袁陨来 ;

吴帅 ;

张鹏程 ;

王建波 ;

吕俊 .

中国专利 :CN114724942A ,2022-07-08

[9]

硅片的刻蚀方法 [P].

朱海云 ;

蒋中伟 ;

王京 .

中国专利 :CN112466749A ,2021-03-09

[10]

硅片湿法刻蚀设备 [P].

卫志敏 ;

肖新民 ;

丁志强 ;

祁宏山 ;

王文杰 ;

彭文龙 .

中国专利 :CN203754809U ,2014-08-06

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