等离子体表面处理设备和等离子体设备腔体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710343046.7

申请日：

2017-05-16

公开(公告)号：

CN107424897B

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

唐玄玄彭帆

申请人：

申请人地址：

200241 上海市闵行区东川路555号戊楼4026室

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

侯莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20170516
2017-12-01	公开	公开
2019-11-15	授权	授权

共 50 条

[21]

等离子体产生装置和等离子体处理设备 [P].

杨靖 ;

刘涛 ;

乐卫平 ;

宋成 ;

张文杰 ;

谢幸光 .

中国专利 :CN118400855A ,2024-07-26

[22]

等离子体处理设备和等离子体产生方法 [P].

石井信雄 ;

八坂保能 ;

高桥应明 ;

安藤真 .

中国专利 :CN100440448C ,2005-08-10

[23]

等离子体产生装置和等离子体处理设备 [P].

杨靖 ;

刘涛 ;

乐卫平 ;

宋成 ;

张文杰 ;

谢幸光 .

中国专利 :CN118400856A ,2024-07-26

[24]

衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

宇井明生 ;

玉置直树 ;

市川尚志 ;

林久贵 ;

上夏井健 ;

桧森慎司 ;

山田纪和 ;

大濑刚 ;

阿部淳 .

中国专利 :CN101499399B ,2009-08-05

[25]

等离子体设备和等离子体系统 [P].

成晓阳 ;

韦刚 .

中国专利 :CN110828273B ,2020-02-21

[26]

等离子体处理设备以及等离子体处理方法 [P].

黄振华 .

中国专利 :CN113035677B ,2021-06-25

[27]

等离子体装置和等离子体沉积设备 [P].

李翔 ;

种展鹏 ;

袁红霞 ;

王娟 ;

姚俊 .

中国专利 :CN119943637B ,2025-11-04

[28]

等离子体装置和等离子体沉积设备 [P].

李翔 ;

种展鹏 ;

袁红霞 ;

王娟 ;

姚俊 .

中国专利 :CN119943637A ,2025-05-06

[29]

等离子体处理设备及其包含等离子体处理设备的等离子体处理系统 [P].

范德宏 ;

左涛涛 .

中国专利 :CN112117176A ,2020-12-22

[30]

等离子体设备的下电极结构和等离子体设备 [P].

张瑞锋 ;

钱海蛟 ;

汪涛 ;

陈亮 ;

赵立星 ;

刘泽旭 ;

李秋静 ;

沈世妃 ;

刘建涛 .

中国专利 :CN114792618B ,2025-05-02

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