用于空间等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）处理工具的微波等离子体源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980016589.5

申请日：

2019-03-01

公开(公告)号：

CN111819657A

公开(公告)日：

2020-10-23

发明(设计)人：

J·库德拉田中努亚历山大·V·加拉琴科德米特里·A·季利诺阿维纳什·舍韦盖尔卡洛·贝拉李小浦阿南塔·K·萨布拉曼尼约翰·C·福斯特

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

王东君 .

中国专利 :CN203174200U ,2013-09-04

[2]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

朱雨 .

中国专利 :CN119144944B ,2025-08-22

[3]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

朱雨 .

中国专利 :CN119144944A ,2024-12-17

[4]

微波等离子体源和等离子体处理装置 [P].

小松智仁 ;

池田太郎 ;

藤野丰 .

中国专利 :CN104717820B ,2015-06-17

[5]

微波等离子体源和等离子体处理装置 [P].

河西繁 .

中国专利 :CN101385129B ,2009-03-11

[6]

微波等离子体源和等离子体处理装置 [P].

池田太郎 ;

长田勇辉 .

中国专利 :CN102458032A ,2012-05-16

[7]

等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备 [P].

J·帕茨谢德尔 ;

H·罗尔曼 ;

J·维查尔特 ;

F·布里特 .

中国专利 :CN112771201A ,2021-05-07

[8]

微波等离子体源 [P].

武洪臣 .

中国专利 :CN1317924A ,2001-10-17

[9]

微波等离子体源 [P].

国中均 .

中国专利 :CN111149438B ,2020-05-12

[10]

具有等离子体源的原子层沉积 [P].

V·基尔皮 ;

W-M·李 ;

T·马利南 ;

J·科斯塔莫 ;

S·林德弗斯 .

中国专利 :CN103635605A ,2014-03-12

← 1 2 3 4 5 →

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-23	公开	公开
2020-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20190301