具有等离子体源的原子层沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180069858.8

申请日：

2011-04-07

公开(公告)号：

CN103635605A

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

V·基尔皮 W-M·李 T·马利南 J·科斯塔莫 S·林德弗斯

申请人：

申请人地址：

芬兰埃斯波

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581964613 IPC(主分类):C23C 16/455 专利申请号:2011800698588 申请日:20110407
2014-03-12	公开	公开
2017-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

用于原子层沉积的等离子体源和设备 [P].

保罗·柏特 ;

玉龙·安东尼斯·斯梅尔廷克 ;

科内利斯·亨利库斯·弗莱特斯 ;

维克托·迪伦 .

:CN119563380A ,2025-03-04

[2]

具有等离子体源的沉积反应器 [P].

V·基尔皮 ;

W-M·李 ;

T·马利南 ;

J·科斯塔莫 ;

S·林德弗斯 .

中国专利 :CN103459660A ,2013-12-18

[3]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

王东君 .

中国专利 :CN203174200U ,2013-09-04

[4]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

朱雨 .

中国专利 :CN119144944B ,2025-08-22

[5]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

朱雨 .

中国专利 :CN119144944A ,2024-12-17

[6]

提供等离子体原子层沉积的方法 [P].

普尔凯特·阿加瓦尔 ;

普鲁肖塔姆·库马尔 ;

阿德里安·拉沃伊 .

中国专利 :CN112154532A ,2020-12-29

[7]

等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备 [P].

J·帕茨谢德尔 ;

H·罗尔曼 ;

J·维查尔特 ;

F·布里特 .

中国专利 :CN112771201A ,2021-05-07

[8]

微波等离子体辅助原子层沉积设备 [P].

王东君 ;

陈宇林 ;

郭敏 .

中国专利 :CN218146935U ,2022-12-27

[9]

用于空间等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）处理工具的微波等离子体源 [P].

J·库德拉 ;

田中努 ;

亚历山大·V·加拉琴科 ;

德米特里·A·季利诺 ;

阿维纳什·舍韦盖尔 ;

卡洛·贝拉 ;

李小浦 ;

阿南塔·K·萨布拉曼尼 ;

约翰·C·福斯特 .

中国专利 :CN111819657A ,2020-10-23

[10]

金属的等离子体增强低温原子层沉积 [P].

亚历山大·雷·福克斯 ;

伊尔哈姆·莫希米 ;

乔恩·亨利 ;

安·埃里克森 ;

照健·史蒂文·黎 ;

帕特里克·奥古斯特·范克莱姆普特 ;

基莱·乔丹·布莱克内 ;

大卫·约瑟夫·曼迪亚 .

美国专利 :CN119403957A ,2025-02-07

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