半导体晶片的热处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97111265.7

申请日：

1997-05-03

公开(公告)号：

CN1089487C

公开(公告)日：

1998-03-11

发明(设计)人：

南基钦李炳官金东浩安雄宽

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨松龄

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-11-26	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1998-03-11	公开	公开
2015-06-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101614633419 IPC(主分类):H01L 21/324 专利号:ZL971112657 申请日:19970503 授权公告日:20020821 终止日期:20140503
2002-08-21	授权	授权

共 50 条

[11]

半导体晶片处理装置 [P].

埃勒·Y·尤科 .

中国专利 :CN305948478S ,2020-07-28

[12]

半导体晶片处理装置 [P].

J·舒格鲁 ;

卢西恩·C·希迪拉 ;

克里斯·G·M·德里德 .

中国专利 :CN109415807A ,2019-03-01

[13]

半导体晶片处理装置 [P].

权宰贤 .

韩国专利 :CN121039796A ,2025-11-28

[14]

半导体晶片处理装置 [P].

金旼俊 ;

申泰善 ;

李奉柱 ;

刘泰钟 ;

李振硕 ;

赵诚一 .

中国专利 :CN115440565A ,2022-12-06

[15]

处理半导体晶片的方法、半导体晶片以及半导体器件 [P].

菲利普·雷诺 ;

罗兰德·塞拉诺 .

中国专利 :CN103109350A ,2013-05-15

[16]

半导体晶片处理 [P].

入口祥一 ;

佐田博之 ;

谷野元气 .

中国专利 :CN104205303A ,2014-12-10

[17]

半导体晶片的热处理方法、太阳能电池的制造方法及热处理装置 [P].

太田成人 ;

西村邦彦 .

中国专利 :CN103137529A ,2013-06-05

[18]

半导体晶片的处理系统 [P].

田中万平 ;

寺师健太郎 ;

安田刚树 ;

杉山洋辅 ;

松冈伸太郎 .

日本专利 :CN119098883A ,2024-12-10

[19]

半导体晶片和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·金勒 ;

G·施密特 ;

M·斯波恩 ;

M·卡恩 ;

J·斯泰恩布伦纳 ;

R·K·乔施 .

中国专利 :CN105185818B ,2015-12-23

[20]

旋转型半导体晶片处理装置和半导体晶片处理方法 [P].

东久美子 .

中国专利 :CN1144398A ,1997-03-05

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