GaN基发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110268163.4

申请日：

2011-09-09

公开(公告)号：

CN102324450A

公开(公告)日：

2012-01-18

发明(设计)人：

陈诚郝茂盛张楠

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3304 H01L3346

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101702681375 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011102681634 申请公布日:20120118
2012-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101198309797 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011102681634 申请日:20110909
2012-01-18	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基发光二极管芯片及其制造方法 [P].

陈诚 ;

郝茂盛 ;

张楠 .

中国专利 :CN102290505B ,2011-12-21

[2]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

杨亮 ;

过靖 ;

刘传桂 ;

夏章艮 .

中国专利 :CN119029110A ,2024-11-26

[3]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416A ,2024-07-30

[4]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416B ,2024-10-11

[5]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

郝亚磊 ;

韩艺蕃 ;

张旭东 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN118299480A ,2024-07-05

[6]

一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法 [P].

李晓明 ;

陈康 ;

闫宝华 ;

刘琦 ;

肖成峰 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN108735871A ,2018-11-02

[7]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[8]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[9]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

王顺 ;

楼高铭 ;

周宇 ;

罗欢 ;

张梦竹 ;

卫婷 .

中国专利 :CN118367077A ,2024-07-19

[10]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

陈沛然 ;

傅新钧 ;

杜雯丹 ;

应丹青 .

中国专利 :CN118099322A ,2024-05-28

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