半导体集成电路装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710110012.X

申请日：

2007-06-12

公开(公告)号：

CN101097933A

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

山田哲也

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L27144

IPC分类号：

H01L23522 H01L21822 H01L21768

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	公开	公开
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-01	授权	授权
2022-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/144 申请日:20070612 授权公告日:20090701 终止日期:20210612

共 50 条

[1]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

野间淳史 ;

上田大助 .

中国专利 :CN1147695A ,1997-04-16

[2]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

原田博文 .

中国专利 :CN106972000B ,2017-07-21

[3]

半导体集成电路的制造方法及半导体集成电路 [P].

和气美和 ;

吉田宜史 .

中国专利 :CN1433065A ,2003-07-30

[4]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

南志昌 ;

秋野胜 .

中国专利 :CN102034791B ,2011-04-27

[5]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

渡部浩三 ;

荻岛淳史 ;

茂庭昌弘 ;

桥本俊一 ;

儿岛雅之 ;

大汤静宪 ;

黑田谦一 ;

松田望 .

中国专利 :CN1255236A ,2000-05-31

[6]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

金谷宏行 ;

日高修 ;

奥和田久美 ;

望月博 .

中国专利 :CN1158708C ,1999-03-24

[7]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

藤野健哉 ;

木村文浩 .

中国专利 :CN100359693C ,2004-05-19

[8]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

藤野健哉 ;

木村文浩 .

中国专利 :CN101174609B ,2008-05-07

[9]

半导体集成电路装置的制造方法 [P].

西胁智弘 ;

兼子一重 ;

山田哲也 ;

野村洋治 .

中国专利 :CN101276783A ,2008-10-01

[10]

半导体装置及其制造方法以及半导体集成电路 [P].

金本俊几 ;

吉田真澄 ;

渡边哲也 ;

一法师隆志 .

中国专利 :CN1819216A ,2006-08-16

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