半导体集成电路及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98117859.6

申请日：

1998-07-17

公开(公告)号：

CN1158708C

公开(公告)日：

1999-03-24

发明(设计)人：

金谷宏行日高修奥和田久美望月博

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242 G11C1134

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-03-03	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-07-21	授权	授权
2010-09-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101005908214 IPC(主分类):H01L 27/108 专利号:ZL981178596 申请日:19980717 授权公告日:20040721
1999-03-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

野间淳史 ;

上田大助 .

中国专利 :CN1147695A ,1997-04-16

[2]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

布伦特·A·安德森 ;

爱德华·J·诺瓦克 .

中国专利 :CN1758437A ,2006-04-12

[3]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

姉崎彻 .

中国专利 :CN1469478A ,2004-01-21

[4]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

藤野健哉 ;

木村文浩 .

中国专利 :CN100359693C ,2004-05-19

[5]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

藤野健哉 ;

木村文浩 .

中国专利 :CN101174609B ,2008-05-07

[6]

半导体集成电路的制造方法及半导体集成电路 [P].

和气美和 ;

吉田宜史 .

中国专利 :CN1433065A ,2003-07-30

[7]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

古田博伺 ;

白井隆之 ;

名贺俊作 .

中国专利 :CN101814532A ,2010-08-25

[8]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

南志昌 ;

秋野胜 .

中国专利 :CN102034791B ,2011-04-27

[9]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

渡部浩三 ;

荻岛淳史 ;

茂庭昌弘 ;

桥本俊一 ;

儿岛雅之 ;

大汤静宪 ;

黑田谦一 ;

松田望 .

中国专利 :CN1255236A ,2000-05-31

[10]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

原田博文 .

中国专利 :CN106972000B ,2017-07-21

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