一种原子层沉积装置

被引：0

申请号：

CN202122718183.9

申请日：

2021-11-08

公开(公告)号：

CN216274363U

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

应世强应佳根

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区步月路9号-130

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1652

代理机构：

南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475

代理人：

张丽丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种原子层沉积装置及原子层沉积设备 [P].

李哲峰 ;

乌磊 .

中国专利 :CN212335291U ,2021-01-12

[2]

一种原子层沉积镀膜装置 [P].

卢青 ;

周文斌 ;

任国璐 ;

盛嫦娥 ;

曹云岭 ;

沈倩 ;

徐超 ;

孙剑 ;

高裕弟 .

中国专利 :CN216514118U ,2022-05-13

[3]

一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置 [P].

朱颖晖 ;

祝晓钊 ;

王艳华 ;

冯敏强 ;

廖良生 .

中国专利 :CN213895992U ,2021-08-06

[4]

一种原子层沉积装置 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

易海芒 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN222455208U ,2025-02-11

[5]

原子层沉积装置 [P].

李哲峰 ;

张光海 .

中国专利 :CN212335292U ,2021-01-12

[6]

原子层沉积装置 [P].

杨士逸 .

中国专利 :CN221398037U ,2024-07-23

[7]

原子层沉积装置 [P].

吉田武史 ;

石塚勇史 .

中国专利 :CN203159709U ,2013-08-28

[8]

一种原子层沉积装置 [P].

李丙科 .

中国专利 :CN210163520U ,2020-03-20

[9]

一种原子层沉积装置 [P].

胡雪峰 ;

解明 .

中国专利 :CN212800533U ,2021-03-26

[10]

一种原子层沉积装置 [P].

徐志斌 ;

马骏 ;

祝晓钊 ;

冯敏强 ;

廖良生 .

中国专利 :CN213596393U ,2021-07-02

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