一种原子层沉积装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202022358707.3
申请日
2020-10-21
公开(公告)号
CN213596393U
公开(公告)日
2021-07-02
发明(设计)人
徐志斌 马骏 祝晓钊 冯敏强 廖良生
申请人
申请人地址
215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道1198号
IPC主分类号
C23C16455
IPC分类号
C23C16458 C23C1644
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
胡彬
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
徐志斌 ;
马骏 ;
祝晓钊 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN112176321A ,2021-01-05
[2]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
徐志斌 ;
马骏 ;
祝晓钊 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN112176321B ,2025-01-14
[3]
一种原子层沉积装置及原子层沉积设备 [P]. 
李哲峰 ;
乌磊 .
中国专利 :CN212335291U ,2021-01-12
[4]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[5]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31
[6]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15
[7]
一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置 [P]. 
朱颖晖 ;
祝晓钊 ;
王艳华 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN213895992U ,2021-08-06
[8]
一种原子层沉积装置 [P]. 
应世强 ;
应佳根 .
中国专利 :CN216274363U ,2022-04-12
[9]
原子层沉积装置 [P]. 
李哲峰 ;
张光海 .
中国专利 :CN212335292U ,2021-01-12
[10]
原子层沉积装置 [P]. 
杨士逸 .
中国专利 :CN221398037U ,2024-07-23