一种原子层沉积装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202420331407.1
申请日
2024-02-22
公开(公告)号
CN222455208U
公开(公告)日
2025-02-11
发明(设计)人
请求不公布姓名 请求不公布姓名 易海芒 请求不公布姓名
申请人
深圳黑晶光电技术有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市龙华区大浪街道陶元社区鹊山光浩工业园E栋201
IPC主分类号
C23C16/455
IPC分类号
C23C16/24
代理机构
深圳立羽知识产权代理事务所(普通合伙) 441028
代理人
贺鹏
法律状态
授权
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
一种原子层沉积装置 [P]. 
应世强 ;
应佳根 .
中国专利 :CN216274363U ,2022-04-12
[2]
原子层沉积设备 [P]. 
屈芙蓉 ;
刘传钦 ;
夏洋 ;
李超波 .
中国专利 :CN302072349S ,2012-09-12
[3]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
徐志斌 ;
马骏 ;
祝晓钊 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN112176321A ,2021-01-05
[4]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
徐志斌 ;
马骏 ;
祝晓钊 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN112176321B ,2025-01-14
[5]
一种原子层沉积装置及原子层沉积设备 [P]. 
李哲峰 ;
乌磊 .
中国专利 :CN212335291U ,2021-01-12
[6]
原子层沉积系统(1) [P]. 
吕树玲 ;
万军 ;
夏洋 ;
李超波 ;
陈波 .
中国专利 :CN301959904S ,2012-06-20
[7]
原子层沉积机(PEALD) [P]. 
祁文杰 ;
卢秋霞 ;
刘群 .
中国专利 :CN308823371S ,2024-09-06
[8]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[9]
原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P]. 
叶长福 ;
魏鼎 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26
[10]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
李名言 ;
吴孝哲 ;
蔡文立 .
中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31