IGBT模块高温反偏老化测试系统

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN202130453138.8

申请日：

2021-07-16

公开(公告)号：

CN307087767S

公开(公告)日：

2022-01-28

发明(设计)人：

袁锋盛楠唐德平

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区大龙山路8号

IPC主分类号：

1005

IPC分类号：

代理机构：

合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124

代理人：

宣美军

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更主分类号:10-05 变更事项:专利权人变更前:合肥科威尔电源系统股份有限公司变更后:科威尔技术股份有限公司变更事项:地址变更前:230088 安徽省合肥市高新区大龙山路8号变更后:230088 安徽省合肥市高新区大龙山路8号
2022-01-28	授权	授权

共 50 条

[1]

IGBT模块高温反偏老化测试系统 [P].

刘年富 .

中国专利 :CN214703868U ,2021-11-12

[2]

微波器件高温反偏老化测试系统 [P].

陈益敏 .

中国专利 :CN214750606U ,2021-11-16

[3]

一种高温反偏老化测试系统 [P].

吴志刚 ;

刘年富 ;

陈益敏 .

中国专利 :CN217954601U ,2022-12-02

[4]

一种IGBT高温反偏测试系统 [P].

杨炜光 ;

李耀武 ;

张永健 ;

白晓辉 .

中国专利 :CN111913089A ,2020-11-10

[5]

一种IGBT模块高温反偏实验系统 [P].

胡久恒 ;

代凯旋 ;

胡久旺 ;

安浙文 .

中国专利 :CN112858867A ,2021-05-28

[6]

一种IGBT可控硅整流桥模块高温反偏老化测试装置 [P].

杨种南 ;

蔡万顺 ;

蔡文诚 .

中国专利 :CN216979225U ,2022-07-15

[7]

高低温反偏老化测试系统 [P].

刘年富 .

中国专利 :CN215180578U ,2021-12-14

[8]

IGBT功率模块老化测试系统及方法 [P].

王君会 ;

李达明 ;

王帅 ;

徐国田 .

中国专利 :CN111103520A ,2020-05-05

[9]

带动态栅偏和反偏测试功能的晶圆老化测试系统及方法 [P].

殷焕松 ;

唐建辉 ;

叶剑锋 ;

何国洪 ;

陈康健 ;

李挺宏 ;

苏玉芬 .

中国专利 :CN121027783A ,2025-11-28

[10]

一种用于三电平功率模块的高温反偏老化测试模块 [P].

吴志刚 ;

刘年富 ;

陈益敏 ;

魏徕 ;

刘晖 .

中国专利 :CN117092476B ,2025-01-14

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