微波器件高温反偏老化测试系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120702091.9

申请日：

2021-04-07

公开(公告)号：

CN214750606U

公开(公告)日：

2021-11-16

发明(设计)人：

陈益敏

申请人：

申请人地址：

311107 浙江省杭州市余杭区仁和街道永泰路2号16幢

IPC主分类号：

G01R3100

IPC分类号：

G01R104

代理机构：

杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266

代理人：

沈相权;金磊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-16	授权	授权

共 50 条

[1]

IGBT模块高温反偏老化测试系统 [P].

刘年富 .

中国专利 :CN214703868U ,2021-11-12

[2]

一种高温反偏老化测试系统 [P].

吴志刚 ;

刘年富 ;

陈益敏 .

中国专利 :CN217954601U ,2022-12-02

[3]

IGBT模块高温反偏老化测试系统 [P].

袁锋 ;

盛楠 ;

唐德平 .

中国专利 :CN307087767S ,2022-01-28

[4]

高低温反偏老化测试系统 [P].

刘年富 .

中国专利 :CN215180578U ,2021-12-14

[5]

功率器件的高温反偏和高温栅偏测试系统 [P].

程维维 ;

张斌 ;

李伟铭 ;

吴泉鑫 ;

魏可情 ;

朱佳 ;

张成洲 ;

林云斌 ;

甘露 ;

唐雪梅 .

中国专利 :CN105548853A ,2016-05-04

[6]

脉冲反偏测试系统 [P].

吴志刚 ;

刘年富 ;

陈益敏 .

中国专利 :CN218122174U ,2022-12-23

[7]

功率器件高温反偏试验系统 [P].

赵振华 .

中国专利 :CN202631688U ,2012-12-26

[8]

高温电老化测试系统 [P].

姜军 ;

周桃 .

中国专利 :CN222850708U ,2025-05-09

[9]

带动态栅偏和反偏测试功能的晶圆老化测试系统及方法 [P].

殷焕松 ;

唐建辉 ;

叶剑锋 ;

何国洪 ;

陈康健 ;

李挺宏 ;

苏玉芬 .

中国专利 :CN121027783A ,2025-11-28

[10]

桥堆高温反偏老化系统 [P].

卜建明 ;

柴俊标 ;

谭玉龙 .

中国专利 :CN108646128A ,2018-10-12

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