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IGBT模块高温反偏老化测试系统
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202120701864.1
申请日
:
2021-04-07
公开(公告)号
:
CN214703868U
公开(公告)日
:
2021-11-12
发明(设计)人
:
刘年富
申请人
:
申请人地址
:
311107 浙江省杭州市余杭区仁和街道永泰路2号16幢
IPC主分类号
:
G01R3126
IPC分类号
:
G01R104
代理机构
:
杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266
代理人
:
沈相权;金磊
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-12
授权
授权
共 50 条
[1]
IGBT模块高温反偏老化测试系统
[P].
袁锋
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袁锋
;
盛楠
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盛楠
;
唐德平
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唐德平
.
中国专利
:CN307087767S
,2022-01-28
[2]
微波器件高温反偏老化测试系统
[P].
陈益敏
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0
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陈益敏
.
中国专利
:CN214750606U
,2021-11-16
[3]
一种高温反偏老化测试系统
[P].
吴志刚
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吴志刚
;
刘年富
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刘年富
;
陈益敏
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陈益敏
.
中国专利
:CN217954601U
,2022-12-02
[4]
高低温反偏老化测试系统
[P].
刘年富
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刘年富
.
中国专利
:CN215180578U
,2021-12-14
[5]
一种IGBT高温反偏测试系统
[P].
杨炜光
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杨炜光
;
李耀武
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李耀武
;
张永健
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张永健
;
白晓辉
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白晓辉
.
中国专利
:CN111913089A
,2020-11-10
[6]
一种IGBT模块高温反偏实验系统
[P].
胡久恒
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胡久恒
;
代凯旋
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代凯旋
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胡久旺
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胡久旺
;
安浙文
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安浙文
.
中国专利
:CN112858867A
,2021-05-28
[7]
一种IGBT可控硅整流桥模块高温反偏老化测试装置
[P].
杨种南
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杨种南
;
蔡万顺
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蔡万顺
;
蔡文诚
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蔡文诚
.
中国专利
:CN216979225U
,2022-07-15
[8]
一种IGBT模块高温反偏试验装置
[P].
胡久恒
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胡久恒
;
代凯旋
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代凯旋
;
胡久旺
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胡久旺
;
安浙文
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安浙文
.
中国专利
:CN214201668U
,2021-09-14
[9]
脉冲反偏测试系统
[P].
吴志刚
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吴志刚
;
刘年富
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刘年富
;
陈益敏
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陈益敏
.
中国专利
:CN218122174U
,2022-12-23
[10]
IGBT功率模块老化测试系统及方法
[P].
王君会
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王君会
;
李达明
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李达明
;
王帅
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王帅
;
徐国田
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徐国田
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中国专利
:CN111103520A
,2020-05-05
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