IGBT模块高温反偏老化测试系统

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202120701864.1
申请日
2021-04-07
公开(公告)号
CN214703868U
公开(公告)日
2021-11-12
发明(设计)人
刘年富
申请人
申请人地址
311107 浙江省杭州市余杭区仁和街道永泰路2号16幢
IPC主分类号
G01R3126
IPC分类号
G01R104
代理机构
杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266
代理人
沈相权;金磊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
IGBT模块高温反偏老化测试系统 [P]. 
袁锋 ;
盛楠 ;
唐德平 .
中国专利 :CN307087767S ,2022-01-28
[2]
微波器件高温反偏老化测试系统 [P]. 
陈益敏 .
中国专利 :CN214750606U ,2021-11-16
[3]
一种高温反偏老化测试系统 [P]. 
吴志刚 ;
刘年富 ;
陈益敏 .
中国专利 :CN217954601U ,2022-12-02
[4]
高低温反偏老化测试系统 [P]. 
刘年富 .
中国专利 :CN215180578U ,2021-12-14
[5]
一种IGBT高温反偏测试系统 [P]. 
杨炜光 ;
李耀武 ;
张永健 ;
白晓辉 .
中国专利 :CN111913089A ,2020-11-10
[6]
一种IGBT模块高温反偏实验系统 [P]. 
胡久恒 ;
代凯旋 ;
胡久旺 ;
安浙文 .
中国专利 :CN112858867A ,2021-05-28
[7]
一种IGBT可控硅整流桥模块高温反偏老化测试装置 [P]. 
杨种南 ;
蔡万顺 ;
蔡文诚 .
中国专利 :CN216979225U ,2022-07-15
[8]
一种IGBT模块高温反偏试验装置 [P]. 
胡久恒 ;
代凯旋 ;
胡久旺 ;
安浙文 .
中国专利 :CN214201668U ,2021-09-14
[9]
脉冲反偏测试系统 [P]. 
吴志刚 ;
刘年富 ;
陈益敏 .
中国专利 :CN218122174U ,2022-12-23
[10]
IGBT功率模块老化测试系统及方法 [P]. 
王君会 ;
李达明 ;
王帅 ;
徐国田 .
中国专利 :CN111103520A ,2020-05-05