一种IGBT高温反偏测试系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010497148.6

申请日：

2020-06-04

公开(公告)号：

CN111913089A

公开(公告)日：

2020-11-10

发明(设计)人：

杨炜光李耀武张永健白晓辉

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园A区9号现代企业中心西区B13楼

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01R104

代理机构：

北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641

代理人：

许振强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20200604
2020-11-10	公开	公开

共 50 条

[1]

IGBT模块高温反偏老化测试系统 [P].

刘年富 .

中国专利 :CN214703868U ,2021-11-12

[2]

IGBT模块高温反偏老化测试系统 [P].

袁锋 ;

盛楠 ;

唐德平 .

中国专利 :CN307087767S ,2022-01-28

[3]

一种高温反偏老化测试系统 [P].

吴志刚 ;

刘年富 ;

陈益敏 .

中国专利 :CN217954601U ,2022-12-02

[4]

一种IGBT模块高温反偏实验系统 [P].

胡久恒 ;

代凯旋 ;

胡久旺 ;

安浙文 .

中国专利 :CN112858867A ,2021-05-28

[5]

一种高温反偏测试系统及方法 [P].

李尧圣 ;

赵岩 ;

张雷 ;

李金元 ;

潘艳 ;

崔梅婷 ;

王鹏 .

中国专利 :CN107861041A ,2018-03-30

[6]

功率器件的高温反偏和高温栅偏测试系统 [P].

程维维 ;

张斌 ;

李伟铭 ;

吴泉鑫 ;

魏可情 ;

朱佳 ;

张成洲 ;

林云斌 ;

甘露 ;

唐雪梅 .

中国专利 :CN105548853A ,2016-05-04

[7]

一种节省空间的高温反偏测试系统 [P].

朱永兵 .

中国专利 :CN217404350U ,2022-09-09

[8]

微波器件高温反偏老化测试系统 [P].

陈益敏 .

中国专利 :CN214750606U ,2021-11-16

[9]

一种IGBT模块高温反偏试验装置 [P].

胡久恒 ;

代凯旋 ;

胡久旺 ;

安浙文 .

中国专利 :CN214201668U ,2021-09-14

[10]

一种HTRB高温反偏测试方法 [P].

王浩 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN119644084A ,2025-03-18

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