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一种半导体气相外延反应管
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202023034832.5
申请日
:
2020-12-16
公开(公告)号
:
CN214115774U
公开(公告)日
:
2021-09-03
发明(设计)人
:
王敏
吴汉涛
孙珏
申请人
:
申请人地址
:
214000 江苏省无锡市建筑西路599-1(1号楼)十九楼1918室
IPC主分类号
:
C30B2502
IPC分类号
:
C30B2508
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-09-03
授权
授权
共 50 条
[1]
一种半导体气相外延反应管
[P].
梁骏吾
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梁骏吾
;
邓礼生
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邓礼生
;
杨辉
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杨辉
;
郑红军
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郑红军
.
中国专利
:CN2063694U
,1990-10-10
[2]
一种用于气相外延生长半导体单晶材料的反应器
[P].
何进密
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何进密
;
刘南柳
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刘南柳
;
李文辉
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李文辉
;
张国义
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张国义
.
中国专利
:CN105986314B
,2016-10-05
[3]
一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉
[P].
唐蓉
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唐蓉
;
王敏
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王敏
;
孙珏
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孙珏
.
中国专利
:CN214655362U
,2021-11-09
[4]
一种碳化硅气相外延反应系统
[P].
杨波
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机构:
江苏汉印机电科技股份有限公司
江苏汉印机电科技股份有限公司
杨波
;
文文
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机构:
江苏汉印机电科技股份有限公司
江苏汉印机电科技股份有限公司
文文
;
文成
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机构:
江苏汉印机电科技股份有限公司
江苏汉印机电科技股份有限公司
文成
.
中国专利
:CN118668294B
,2025-02-28
[5]
一种碳化硅气相外延反应系统
[P].
杨波
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机构:
江苏汉印机电科技股份有限公司
江苏汉印机电科技股份有限公司
杨波
;
文文
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江苏汉印机电科技股份有限公司
江苏汉印机电科技股份有限公司
文文
;
文成
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机构:
江苏汉印机电科技股份有限公司
江苏汉印机电科技股份有限公司
文成
.
中国专利
:CN118668294A
,2024-09-20
[6]
半导体气相外延的减压方法及系统
[P].
叶必光
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叶必光
;
沈复初
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沈复初
;
陈坚
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陈坚
.
中国专利
:CN1021528C
,1991-10-09
[7]
化合物半导体的气相外延工艺
[P].
冈久拓司
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冈久拓司
;
津充
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津充
;
松岛政人
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松岛政人
;
三浦祥纪
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三浦祥纪
;
元木健作
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元木健作
;
关寿
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关寿
;
纐缬明伯
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纐缬明伯
.
中国专利
:CN1164759A
,1997-11-12
[8]
一种外延反应腔和化学气相外延设备
[P].
孙伟
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孙伟
.
中国专利
:CN107435165A
,2017-12-05
[9]
一种化学气相淀积反应管
[P].
陆大成
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陆大成
;
汪度
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汪度
;
昝育德
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昝育德
;
刘祥林
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刘祥林
.
中国专利
:CN2117380U
,1992-09-30
[10]
一种半导体的外延片
[P].
饶铭
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饶铭
;
魏开鸿
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魏开鸿
;
黄城洲
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黄城洲
.
中国专利
:CN212209469U
,2020-12-22
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