一种半导体气相外延反应管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN90203696.3

申请日：

1990-03-30

公开(公告)号：

CN2063694U

公开(公告)日：

1990-10-10

发明(设计)人：

梁骏吾邓礼生杨辉郑红军

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

北京林业大学专利事务所

代理人：

卢纪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1990-10-10	公开	公开
1995-05-31	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体气相外延反应管 [P].

王敏 ;

吴汉涛 ;

孙珏 .

中国专利 :CN214115774U ,2021-09-03

[2]

半导体气相外延的减压方法及系统 [P].

叶必光 ;

沈复初 ;

陈坚 .

中国专利 :CN1021528C ,1991-10-09

[3]

化合物半导体的气相外延工艺 [P].

冈久拓司 ;

津充 ;

松岛政人 ;

三浦祥纪 ;

元木健作 ;

关寿 ;

纐缬明伯 .

中国专利 :CN1164759A ,1997-11-12

[4]

一种用于气相外延生长半导体单晶材料的反应器 [P].

何进密 ;

刘南柳 ;

李文辉 ;

张国义 .

中国专利 :CN105986314B ,2016-10-05

[5]

一种氮化物半导体材料气相外延用反应器设计及方法 [P].

魏武 ;

刘鹏 ;

熊欢 ;

张俊业 ;

赵红军 ;

童玉珍 ;

张国义 .

中国专利 :CN103789823A ,2014-05-14

[6]

一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉 [P].

唐蓉 ;

王敏 ;

孙珏 .

中国专利 :CN214655362U ,2021-11-09

[7]

一种反应装置与气相外延生长设备 [P].

周靖焱 ;

王秉杨 ;

李春雨 .

中国专利 :CN120311306A ,2025-07-15

[8]

一种用于半导体化学气相沉积的反应器 [P].

郭逃远 .

中国专利 :CN217479546U ,2022-09-23

[9]

一种外延反应腔和化学气相外延设备 [P].

孙伟 .

中国专利 :CN107435165A ,2017-12-05

[10]

一种半导体化学气相沉积支架 [P].

吉学东 .

中国专利 :CN210575892U ,2020-05-19

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