半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02148231.4

申请日：

2002-06-25

公开(公告)号：

CN1284239C

公开(公告)日：

2003-03-26

发明(设计)人：

山崎尚远藤光芳田漥知章尾山勝彦井本孝志松井幹雄

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L2312 H01L2348 H01L2150

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584483675 IPC(主分类):H01L 25/00 专利号:ZL021482314 申请日:20020625 授权公告日:20061108 终止日期:20130625
2003-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-08	授权	授权
2003-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

坂本吉史 .

中国专利 :CN101567350B ,2009-10-28

[2]

半导体器件 [P].

坂本吉史 .

中国专利 :CN104882437A ,2015-09-02

[3]

半导体器件 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 .

中国专利 :CN104064554A ,2014-09-24

[4]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

[5]

半导体器件 [P].

许然喆 ;

M.坎托罗 .

中国专利 :CN107221560B ,2017-09-29

[6]

半导体器件 [P].

大西彻 ;

青井佐智子 ;

浦上泰 .

中国专利 :CN109891594A ,2019-06-14

[7]

半导体器件 [P].

奥田修功 ;

小林俊介 ;

铃木伸和 .

中国专利 :CN101895282A ,2010-11-24

[8]

半导体器件 [P].

D·E·普罗布斯特 ;

J·A·纽尔斯 ;

江田雅一 ;

P·A·伯克 ;

P·麦克格拉斯 ;

P·温卡特拉曼 .

美国专利 :CN120980914A ,2025-11-18

[9]

半导体器件 [P].

孙钟弼 .

韩国专利 :CN120432457A ,2025-08-05

[10]

半导体器件 [P].

申洪湜 ;

李相贤 ;

安学润 ;

吴省翰 ;

吴怜默 .

中国专利 :CN110085586A ,2019-08-02

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