半导体集成电路器件以及制造该器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98125682.1

申请日：

1998-12-21

公开(公告)号：

CN1144291C

公开(公告)日：

1999-06-23

发明(设计)人：

大石三真

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L27108 H01L2182 H01L218242

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-05-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2003-05-21	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20030328
1999-06-23	公开	公开
2010-12-29	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101056984599 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL981256821 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川
2015-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101598339927 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL981256821 申请日:19981221 授权公告日:20040331 终止日期:20131221
2004-03-31	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体集成电路器件、以及制造该器件的方法 [P].

小岛诚 .

中国专利 :CN1773859B ,2006-05-17

[2]

半导体集成电路器件以及半导体集成电路器件的制造方法 [P].

吉森宏雅 ;

岩松俊明 .

中国专利 :CN102315251A ,2012-01-11

[3]

半导体集成电路器件及其制造方法 [P].

田丸刚 ;

饭岛晋平 ;

横山夏树 ;

中田昌之 .

中国专利 :CN1158007A ,1997-08-27

[4]

半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法 [P].

谷口泰弘 ;

宿利章二 ;

黑田谦一 ;

池田修二 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN1516259A ,2004-07-28

[5]

半导体集成电路器件及半导体集成电路器件的制造方法 [P].

杉山雅夫 ;

金子义之 ;

近藤由宪 ;

平泽贤齐 .

中国专利 :CN101714525A ,2010-05-26

[6]

半导体集成电路器件的制造方法和半导体集成电路器件 [P].

酒井哲 ;

松本大地 ;

朝香胜征 ;

长谷川雅俊 ;

森和孝 .

中国专利 :CN1574293A ,2005-02-02

[7]

半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法 [P].

谷口泰弘 ;

宿利章二 ;

黑田谦一 ;

池田修二 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN1238557A ,1999-12-15

[8]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

佐藤匡史 .

中国专利 :CN1638082A ,2005-07-13

[9]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

筱原正昭 .

中国专利 :CN102693943B ,2012-09-26

[10]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

和田雄二 ;

清藤彰 ;

难波正昭 .

中国专利 :CN100440473C ,2005-07-13

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