用于单栅极非易失性存储器的结构及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210103818.7

申请日：

2012-04-10

公开(公告)号：

CN103050496A

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

廖大传杨健国徐英杰陈世宪郭良泰柯钧耀

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

北京德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;房岭梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-17	公开	公开
2016-01-27	授权	授权
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457126868 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2012101038187 申请日:20120410

共 50 条

[1]

用于单栅极非易失性存储器件的结构和方法 [P].

徐英杰 ;

曾皇文 .

中国专利 :CN102891148A ,2013-01-23

[2]

非易失性存储器及制造非易失性存储器的方法 [P].

吉野明 ;

秋山丰 .

中国专利 :CN1512564A ,2004-07-14

[3]

具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构 [P].

曹沐潆 ;

陈纬仁 .

中国专利 :CN106206591A ,2016-12-07

[4]

非易失性存储器以及非易失性存储器的制造方法 [P].

朴盛羲 .

中国专利 :CN1988161A ,2007-06-27

[5]

浮动栅极非易失性存储器及其制作方法 [P].

池田雄次 .

中国专利 :CN100411177C ,2006-02-15

[6]

制造非易失性存储器器件的方法 [P].

拉杰什·拉奥 ;

拉马钱德兰·穆拉利德哈 .

中国专利 :CN101578706A ,2009-11-11

[7]

单层多晶非易失性存储器单元 [P].

赖纳·赫贝霍尔茨 .

中国专利 :CN102881692B ,2013-01-16

[8]

双栅极非易失性存储器及其制造方法 [P].

赫尔本·多恩博斯 ;

皮埃尔·戈阿兰 .

中国专利 :CN100541723C ,2008-09-24

[9]

非易失性存储器 [P].

汤茂源 ;

周猛 ;

谈嘉慧 .

中国专利 :CN119630035A ,2025-03-14

[10]

非易失性存储器 [P].

C·里韦罗 ;

P·波伊文 ;

F·塔耶 ;

R·西莫拉 .

中国专利 :CN114446971A ,2022-05-06

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