半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811325821.7

申请日：

2018-11-08

公开(公告)号：

CN109755320A

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

陈冠蓉陈奕志黄智睦吴凯第李铭峰管挺钧

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

顾伯兴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-14	公开	公开
2021-04-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20190514

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

F·朱利恩 ;

F·谢拉 ;

N·布兰克 ;

E·布罗特 ;

P·劳克斯 ;

G·泰雷 .

中国专利 :CN208433412U ,2019-01-25

[2]

半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

工藤智彦 .

中国专利 :CN101897008B ,2010-11-24

[3]

半导体器件 [P].

黑井隆 ;

山下朋弘 ;

堀田胜之 .

中国专利 :CN1244143C ,2004-03-17

[4]

半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

工藤智彦 .

中国专利 :CN101939828B ,2011-01-05

[5]

半导体器件 [P].

王彦哲 .

中国专利 :CN114512492A ,2022-05-17

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

S·J·克斯特 ;

A·马宗达 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN101908561B ,2010-12-08

[7]

制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P].

朱继光 ;

何来胜 .

中国专利 :CN111562687A ,2020-08-21

[8]

制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P].

朱继光 ;

胡志朋 .

中国专利 :CN111562688B ,2020-08-21

[9]

制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P].

朱继光 ;

金里 .

中国专利 :CN111580289A ,2020-08-25

[10]

制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路 [P].

朱继光 ;

韩建忠 ;

金里 .

中国专利 :CN111596473B ,2020-08-28

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