半导体器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201820861830.7
申请日
2018-06-05
公开(公告)号
CN208433412U
公开(公告)日
2019-01-25
发明(设计)人
F·朱利恩 F·谢拉 N·布兰克 E·布罗特 P·劳克斯 G·泰雷
申请人
申请人地址
法国鲁塞
IPC主分类号
H01L29423
IPC分类号
H01L29788 H01L2711521 H01L2128 H01L21762 H01L21336
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
王茂华;张昊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
黑井隆 ;
山下朋弘 ;
堀田胜之 .
中国专利 :CN1244143C ,2004-03-17
[2]
半导体器件 [P]. 
冒义祥 ;
张兰 ;
严晓芬 ;
周俊芳 .
中国专利 :CN113851427A ,2021-12-28
[3]
半导体器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
工藤智彦 .
中国专利 :CN101897008B ,2010-11-24
[4]
半导体器件 [P]. 
陈冠蓉 ;
陈奕志 ;
黄智睦 ;
吴凯第 ;
李铭峰 ;
管挺钧 .
中国专利 :CN109755320A ,2019-05-14
[5]
半导体器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
工藤智彦 .
中国专利 :CN101939828B ,2011-01-05
[6]
半导体器件 [P]. 
王彦哲 .
中国专利 :CN114512492A ,2022-05-17
[7]
半导体器件 [P]. 
冒义祥 ;
张兰 ;
严晓芬 ;
周俊芳 .
中国专利 :CN113851427B ,2025-09-02
[8]
半导体器件 [P]. 
上田聪 ;
上田哲也 ;
山野敦浩 ;
失野航作 .
中国专利 :CN1053994C ,1994-11-09
[9]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
S·J·克斯特 ;
A·马宗达 ;
蔡劲 .
中国专利 :CN101908561B ,2010-12-08
[10]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
松野光一 ;
盐泽顺一 .
中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14