半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510107637.1

申请日：

2005-09-29

公开(公告)号：

CN1767160A

公开(公告)日：

2006-05-03

发明(设计)人：

小仓尚

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮;杨梧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20050929 授权公告日:20090311 终止日期:20200929
2009-03-11	授权	授权
2006-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

大竹诚治 ;

小仓尚 .

中国专利 :CN100490096C ,2006-05-10

[2]

半导体装置的制造方法 [P].

福田干夫 ;

藤岛达也 .

中国专利 :CN1773685A ,2006-05-17

[3]

半导体装置的制造方法 [P].

西田征男 ;

太田和伸 .

中国专利 :CN1531038A ,2004-09-22

[4]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

田中正幸 ;

中嶋一明 ;

綱岛祥隆 ;

伊藤贵之 ;

须黑恭一 .

中国专利 :CN1349253A ,2002-05-15

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

荒井伸也 .

中国专利 :CN106469735A ,2017-03-01

[6]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

谷口浩二 .

中国专利 :CN1192045A ,1998-09-02

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

森田健士 ;

加藤伸二郎 ;

秋野胜 ;

井村行宏 .

中国专利 :CN108573950A ,2018-09-25

[8]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

荣林贵尚 ;

木村广嗣 .

中国专利 :CN1485908A ,2004-03-31

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

早坂明泰 .

日本专利 :CN119562545A ,2025-03-04

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

荣森贵尚 ;

木村广嗣 .

中国专利 :CN1132248C ,1997-08-06

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