一种半导体霍尔元件

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专利类型
发明
申请号
CN201410521109.X
申请日
2014-09-30
公开(公告)号
CN104300079A
公开(公告)日
2015-01-21
发明(设计)人
聂成
申请人
申请人地址
402360 重庆市大足县龙岗街道北街西巷2号2单元2-2
IPC主分类号
H01L4306
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体霍尔元件 [P]. 
吴斌 .
中国专利 :CN213635966U ,2021-07-06
[2]
化合物半导体霍尔元件 [P]. 
胡双元 ;
朱忻 .
中国专利 :CN113241403A ,2021-08-10
[3]
一种半导体检测装置 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN205333836U ,2016-06-22
[4]
一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件 [P]. 
胡双元 ;
黄勇 ;
朱忻 .
中国专利 :CN205004354U ,2016-01-27
[5]
化合物半导体霍尔元件及其制备方法 [P]. 
何渊 .
中国专利 :CN113629184B ,2024-08-23
[6]
化合物半导体霍尔元件及其制备方法 [P]. 
何渊 .
中国专利 :CN113629184A ,2021-11-09
[7]
制造化合物半导体霍尔元件的方法 [P]. 
胡双元 ;
朱忻 .
中国专利 :CN113299824A ,2021-08-24
[8]
霍尔元件及其制造方法以及半导体装置 [P]. 
河上翔 ;
豊田泰史 .
日本专利 :CN119522031A ,2025-02-25
[9]
一种半导体气敏元件 [P]. 
李杰 .
中国专利 :CN204330661U ,2015-05-13
[10]
一种半导体湿敏元件 [P]. 
李杰 .
中国专利 :CN104237326A ,2014-12-24