SONOS工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710068642.9

申请日：

2017-02-08

公开(公告)号：

CN106887433A

公开(公告)日：

2017-06-23

发明(设计)人：

熊伟张可钢陈华伦

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L271157

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请公布日:20170623
2017-06-23	公开	公开
2017-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101735219274 IPC(主分类):H01L 27/1157 专利申请号:2017100686429 申请日:20170208

共 50 条

[1]

1.5T SONOS闪存的工艺方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN109119421A ,2019-01-01

[2]

SONOS器件的工艺方法 [P].

熊伟 ;

张可钢 ;

陈华伦 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104332443A ,2015-02-04

[3]

SONOS存储器的工艺方法 [P].

许昭昭 ;

钱文生 ;

段文婷 ;

胡君 ;

刘冬华 ;

石晶 .

中国专利 :CN106409838A ,2017-02-15

[4]

SONOS器件的工艺方法 [P].

胡君 ;

钱文生 ;

石晶 ;

段文婷 .

中国专利 :CN105679712A ,2016-06-15

[5]

CMOS工艺中集成SONOS器件和LDMOS器件的方法 [P].

陈广龙 ;

谭颖 .

中国专利 :CN103632942A ,2014-03-12

[6]

SONOS器件以及SONOS器件制造方法 [P].

丁航晨 ;

张强 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN106449766A ,2017-02-22

[7]

二比特分栅SONOS器件制造工艺方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN109166855A ,2019-01-08

[8]

分栅SONOS的制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN109148464A ,2019-01-04

[9]

SONOS存储器选择管侧墙自对准刻蚀的工艺方法 [P].

陈昊瑜 ;

刘政红 ;

齐瑞生 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN119049966A ,2024-11-29

[10]

SONOS存储器及其制造方法 [P].

王喆 ;

张可钢 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN105470261A ,2016-04-06

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