半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98103876.X

申请日：

1998-02-19

公开(公告)号：

CN1198595A

公开(公告)日：

1998-11-11

发明(设计)人：

上野修一奥村喜纪前田茂伸前川繁登

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2704 H01L2182

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯;叶恺东

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-07-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
1998-11-11	公开	公开
1998-07-01	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

木村伟作夫 .

中国专利 :CN1832127A ,2006-09-13

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴賛光 ;

高堯焕 .

中国专利 :CN1152800A ,1997-06-25

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

中邑良一 .

中国专利 :CN1244041A ,2000-02-09

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴賛光 .

中国专利 :CN1144401A ,1997-03-05

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

北岛裕一郎 .

中国专利 :CN101521232A ,2009-09-02

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

西山雅人 ;

梅田浩司 .

中国专利 :CN1467813A ,2004-01-14

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

日野美德 ;

武石直英 ;

谷口敏光 .

中国专利 :CN1258817C ,2002-09-25

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田茂伸 ;

岩松俊明 ;

前川繁登 ;

一法师隆志 ;

山口泰男 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1204146A ,1999-01-06

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

门胁匡志 ;

海本博之 ;

半田崇登 .

中国专利 :CN1591866A ,2005-03-09

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