半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96106746.2

申请日：

1996-07-01

公开(公告)号：

CN1144401A

公开(公告)日：

1997-03-05

发明(设计)人：

朴賛光

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-12-29	授权	授权
1997-02-12	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2014-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101585540267 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL961067462 申请日:19960701 授权公告日:19991229 终止日期:20130701
1997-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴賛光 ;

高堯焕 .

中国专利 :CN1152800A ,1997-06-25

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

小西纲一 ;

丸山隆弘 ;

镰田拓步 ;

河合彻 .

日本专利 :CN121013357A ,2025-11-25

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

早崎嘉城 ;

高野仁路 ;

铃村正彦 ;

铃木裕二 ;

白井良史 ;

岸田贵司 ;

吉田岳司 ;

吉原孝明 .

中国专利 :CN1301044A ,2001-06-27

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

木村伟作夫 .

中国专利 :CN1832127A ,2006-09-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

高学 ;

杜天伦 .

中国专利 :CN112242305A ,2021-01-19

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

上野修一 ;

奥村喜纪 ;

前田茂伸 ;

前川繁登 .

中国专利 :CN1198595A ,1998-11-11

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

日野美德 ;

武石直英 ;

谷口敏光 .

中国专利 :CN1258817C ,2002-09-25

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

高学 ;

杜天伦 .

中国专利 :CN112242305B ,2024-02-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

森门六月生 .

中国专利 :CN101132010A ,2008-02-27

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