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芯片封装结构及MEMS环境传感器

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201621464034.7
申请日：
2016-12-28
公开(公告)号：
CN206318699U
公开(公告)日：
2017-07-11
发明(设计)人：
张俊德
申请人：
申请人地址：
266100 山东省青岛市崂山区北宅街道投资服务中心308室
IPC主分类号：
B81B700
IPC分类号：
B81B702
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
李海建
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2017-07-11 授权 授权
2020-07-03 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 IPC(主分类):B81B 7/00 登记生效日:20200615 变更事项:专利权人 变更前权利人:歌尔科技有限公司 变更后权利人:歌尔微电子有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:266100 山东省青岛市崂山区北宅街道投资服务中心308室 变更后权利人:266104 山东省青岛市崂山区松岭路396号103室
共 50 条
[1]
环境传感器芯片封装结构 [P]. 
张俊德 .
中国专利 :CN205619946U ,2016-10-05
[2]
MEMS传感器芯片封装结构、MEMS传感器及制备方法 [P]. 
肖定邦 ;
侯占强 ;
吴学忠 ;
邝云斌 ;
虢晓双 ;
王北镇 ;
张勇猛 ;
李青松 ;
席翔 ;
蹇敦想 ;
马成虎 ;
谢钟鸣 .
中国专利 :CN114105085B ,2025-04-22
[3]
MEMS传感器芯片封装结构、MEMS传感器及制备方法 [P]. 
肖定邦 ;
侯占强 ;
吴学忠 ;
邝云斌 ;
虢晓双 ;
王北镇 ;
张勇猛 ;
李青松 ;
席翔 ;
蹇敦想 ;
马成虎 ;
谢钟鸣 .
中国专利 :CN114105085A ,2022-03-01
[4]
MEMS环境传感器 [P]. 
张俊德 .
中国专利 :CN106531757B ,2017-03-22
[5]
MEMS传感器封装结构及MEMS传感器 [P]. 
俞晓 ;
李刚 .
中国专利 :CN222647651U ,2025-03-21
[6]
MEMS传感器封装结构 [P]. 
杨玉婷 ;
翁国军 .
中国专利 :CN223522297U ,2025-11-07
[7]
MEMS传感器芯片封装应力隔离结构、MEMS传感器及制备方法 [P]. 
肖定邦 ;
侯占强 ;
吴学忠 ;
邝云斌 ;
虢晓双 ;
王北镇 ;
张勇猛 ;
李青松 ;
席翔 ;
蹇敦想 ;
马成虎 ;
谢钟鸣 .
中国专利 :CN114105078B ,2025-02-28
[8]
MEMS传感器芯片封装应力隔离结构、MEMS传感器及制备方法 [P]. 
肖定邦 ;
侯占强 ;
吴学忠 ;
邝云斌 ;
虢晓双 ;
王北镇 ;
张勇猛 ;
李青松 ;
席翔 ;
蹇敦想 ;
马成虎 ;
谢钟鸣 .
中国专利 :CN114105078A ,2022-03-01
[9]
传感器芯片封装结构、传感器芯片封装方式及气体传感器 [P]. 
张宾 ;
陈新准 ;
程元红 ;
朱瑞 ;
陈善任 ;
郭林林 .
中国专利 :CN118604066A ,2024-09-06
[10]
MEMS芯片结构及MEMS声学传感器 [P]. 
袁兆斌 .
中国专利 :CN117812511A ,2024-04-02
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