热熔性硅酮组合物、密封剂、热熔胶及光半导体装置

被引：0

申请号：

CN202111296985.3

申请日：

2021-10-29

公开(公告)号：

CN114539971A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

竹内绚哉

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C09J18307

IPC分类号：

C09J18305 H01L3356

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

徐鑫;陈哲锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

固化性硅酮组合物、密封剂以及光半导体装置 [P].

冈裕 .

中国专利 :CN115368740A ,2022-11-22

[2]

热熔性固化性硅酮组合物、密封材料、热熔胶以及光半导体装置 [P].

竹内绚哉 ;

井口友莉 .

日本专利 :CN118620573A ,2024-09-10

[3]

固化性硅酮组合物、密封材料及光半导体装置 [P].

堀江佐和子 ;

竹内香须美 ;

竹内绚哉 ;

姜贤智 ;

小林昭彦 .

中国专利 :CN114686159A ,2022-07-01

[4]

热熔性固化性有机硅组合物、密封剂、膜以及光半导体元件 [P].

竹内绚哉 ;

稻垣佐和子 ;

林昭人 ;

小林昭彦 .

中国专利 :CN112300576A ,2021-02-02

[5]

热熔性固化性有机硅组合物、密封剂、膜以及光半导体元件 [P].

竹内绚哉 ;

稻垣佐和子 ;

林昭人 ;

小林昭彦 .

日本专利 :CN112300576B ,2024-05-14

[6]

光半导体装置用密封剂及光半导体装置 [P].

山崎亮介 ;

谷川满 ;

渡边贵志 ;

乾靖 ;

国广良隆 ;

金千鹤 ;

小林佑辅 ;

保井秀文 ;

末崎穣 ;

日下康成 ;

山田佑 .

中国专利 :CN103547632A ,2014-01-29

[7]

光半导体装置用密封剂及使用其的光半导体装置 [P].

谷川满 ;

渡边贵志 ;

森口慎太郎 ;

乾靖 ;

国广良隆 ;

山崎亮介 ;

冲阿由子 .

中国专利 :CN102834465A ,2012-12-19

[8]

光半导体装置用密封剂及使用其的光半导体装置 [P].

谷川满 ;

渡边贵志 ;

乾靖 ;

国广良隆 ;

山崎亮介 ;

小林佑辅 .

中国专利 :CN103168078A ,2013-06-19

[9]

可固化硅酮组合物及光学半导体装置 [P].

饭村智浩 ;

西嶋一裕 ;

Y·朴 .

中国专利 :CN111225956A ,2020-06-02

[10]

光半导体装置用密封剂及光半导体装置 [P].

谷川满 ;

渡边贵志 ;

森口慎太郎 ;

乾靖 ;

国广良隆 ;

山崎亮介 ;

沖阿由子 ;

家田泰享 ;

金千鹤 ;

小林佑辅 .

中国专利 :CN102639643B ,2012-08-15

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