光半导体装置用密封剂及光半导体装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180004570.2
申请日
2011-03-18
公开(公告)号
CN102639643B
公开(公告)日
2012-08-15
发明(设计)人
谷川满 渡边贵志 森口慎太郎 乾靖 国广良隆 山崎亮介 沖阿由子 家田泰享 金千鹤 小林佑辅
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
C08L8307
IPC分类号
C08L8305 C08L8314 H01L2329 H01L2331 H01L3356
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
张涛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
光半导体装置用密封剂及光半导体装置 [P]. 
山崎亮介 ;
谷川满 ;
渡边贵志 ;
乾靖 ;
国广良隆 ;
金千鹤 ;
小林佑辅 ;
保井秀文 ;
末崎穣 ;
日下康成 ;
山田佑 .
中国专利 :CN103547632A ,2014-01-29
[2]
光半导体装置用密封剂及使用其的光半导体装置 [P]. 
谷川满 ;
渡边贵志 ;
乾靖 ;
国广良隆 ;
山崎亮介 ;
小林佑辅 .
中国专利 :CN103168078A ,2013-06-19
[3]
光半导体装置用密封剂及使用其的光半导体装置 [P]. 
谷川满 ;
渡边贵志 ;
森口慎太郎 ;
乾靖 ;
国广良隆 ;
山崎亮介 ;
冲阿由子 .
中国专利 :CN102834465A ,2012-12-19
[4]
光半导体元件用密封剂及光半导体元件 [P]. 
谷川满 ;
渡边贵志 ;
西村贵史 .
中国专利 :CN101679613A ,2010-03-24
[5]
光半导体装置用晶片接合材料及使用其的光半导体装置 [P]. 
西村贵史 ;
渡边贵志 .
中国专利 :CN102668141A ,2012-09-12
[6]
固化性硅酮组合物、密封剂以及光半导体装置 [P]. 
冈裕 .
中国专利 :CN115368740A ,2022-11-22
[7]
光半导体用热固化性组合物、光半导体元件用固晶材料、光半导体元件用底填材料、光半导体元件用密封剂及光半导体元件 [P]. 
谷川满 ;
渡边贵志 ;
西村贵史 .
中国专利 :CN101432331A ,2009-05-13
[8]
热熔性硅酮组合物、密封剂、热熔胶及光半导体装置 [P]. 
竹内绚哉 .
中国专利 :CN114539971A ,2022-05-27
[9]
光半导体用片和光半导体装置 [P]. 
小名春华 ;
松田广和 ;
片山博之 .
中国专利 :CN203923079U ,2014-11-05
[10]
光半导体用片和光半导体装置 [P]. 
小名春华 ;
松田广和 ;
片山博之 .
中国专利 :CN103965794A ,2014-08-06