具有测试结构的半导体器件和晶片以及评估凸块下金属化的附着力的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880118962.X

申请日：

2008-12-01

公开(公告)号：

CN101884102A

公开(公告)日：

2010-11-10

发明(设计)人：

露西·鲁斯韦耶泽格·巴尔迪菲利普·勒迪卡达维德·德莫尔特勒

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

G01R3104

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101026096495 IPC(主分类):H01L 23/544 专利申请号:200880118962X 申请日:20081201
2013-05-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101577231425 IPC(主分类):H01L 23/544 专利申请号:200880118962X 申请公布日:20101110
2010-11-10	公开	公开

共 50 条

[1]

具有改进的金属化附着力的半导体结构及其制造方法 [P].

A·卡穆斯 .

中国专利 :CN105514147A ,2016-04-20

[2]

凸块和具有凸块的半导体器件 [P].

裵振浩 ;

朴明根 .

中国专利 :CN102646657A ,2012-08-22

[3]

具有底部凸块金属化(UBM)结构的半导体器件及其形成方法 [P].

吴逸文 ;

郭宏瑞 ;

黄见翎 ;

刘重希 .

中国专利 :CN102456657B ,2012-05-16

[4]

半导体器件的金属化 [P].

保罗·赫伊斯坎普 ;

霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 .

中国专利 :CN105514084B ,2016-04-20

[5]

具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

曹佩华 ;

陈承先 ;

蔡承纮 ;

张国钦 ;

朱立寰 .

中国专利 :CN109979903B ,2019-07-05

[6]

半导体器件的金属化方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

黄璇 .

中国专利 :CN111599679A ,2020-08-28

[7]

半导体器件的金属化 [P].

德克·托本 ;

布鲁诺·施普勒 ;

马丁·古奇 ;

彼得·韦甘德 .

中国专利 :CN1154186C ,1998-10-07

[8]

具有凸块结构的半导体器件和半导体封装件 [P].

徐柱斌 ;

李东勋 ;

崔朱逸 ;

朴秀晶 ;

林东燦 .

中国专利 :CN110875261A ,2020-03-10

[9]

用于制造具有金属化层的半导体器件的方法 [P].

P.加尼策 ;

R.策尔萨歇尔 .

中国专利 :CN102339795A ,2012-02-01

[10]

用于制造具有金属化层的半导体器件的方法 [P].

P.加尼策 ;

R.策尔萨歇尔 .

中国专利 :CN105006457A ,2015-10-28

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