半导体组件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410080824.0

申请日：

2004-10-09

公开(公告)号：

CN100353543C

公开(公告)日：

2005-06-15

发明(设计)人：

余振华曾鸿辉胡正明王昭雄

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2352

IPC分类号：

H01L21768 H01L3900

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王一斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-05	授权	授权
2005-06-15	公开	公开
2005-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体组件 [P].

余振华 ;

曾鸿辉 ;

胡正明 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN2772033Y ,2006-04-12

[2]

半导体组件及其制作方法 [P].

苏如意 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 ;

郑志昌 ;

柳瑞兴 .

中国专利 :CN102468179A ,2012-05-23

[3]

半导体组件及其制作方法 [P].

林文强 ;

王家忠 .

中国专利 :CN104810320B ,2015-07-29

[4]

半导体组件及其制作方法 [P].

陈科廷 ;

林静龄 ;

梁文安 ;

许家福 .

中国专利 :CN119698014A ,2025-03-25

[5]

半导体结构及其制作方法和半导体组件 [P].

刘小平 ;

徐丹 ;

王喆 ;

张志伟 ;

郭金虎 .

中国专利 :CN120657021A ,2025-09-16

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

施宏霖 ;

刘珀玮 ;

杨宗谕 ;

吴云骥 .

中国专利 :CN113130479A ,2021-07-16

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

梁肖 ;

曹子贵 ;

邓咏桢 .

中国专利 :CN105489581A ,2016-04-13

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

施宏霖 ;

刘珀玮 ;

杨宗谕 ;

吴云骥 .

中国专利 :CN113130479B ,2025-12-05

[9]

沟渠式半导体组件及其制作方法 [P].

林伟捷 ;

林礼政 .

中国专利 :CN102263105B ,2011-11-30

[10]

高压半导体组件以及其制作方法 [P].

萧世楹 ;

刘冠良 ;

杨庆忠 ;

江品宏 .

中国专利 :CN107978634B ,2018-05-01

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