半导体组件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311314639.2

申请日：

2023-10-11

公开(公告)号：

CN119698014A

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

陈科廷林静龄梁文安许家福

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H01L21/768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王锐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20231011
2025-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体组件及其制作方法 [P].

苏如意 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 ;

郑志昌 ;

柳瑞兴 .

中国专利 :CN102468179A ,2012-05-23

[2]

半导体组件及其制作方法 [P].

林文强 ;

王家忠 .

中国专利 :CN104810320B ,2015-07-29

[3]

半导体组件及其制作方法 [P].

余振华 ;

曾鸿辉 ;

胡正明 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN100353543C ,2005-06-15

[4]

高压半导体组件以及其制作方法 [P].

萧世楹 ;

刘冠良 ;

杨庆忠 ;

江品宏 .

中国专利 :CN107978634B ,2018-05-01

[5]

半导体结构及其制作方法和半导体组件 [P].

刘小平 ;

徐丹 ;

王喆 ;

张志伟 ;

郭金虎 .

中国专利 :CN120657021A ,2025-09-16

[6]

半导体元件及其制作方法 [P].

许得彰 ;

陈俊嘉 ;

王尧展 .

中国专利 :CN114446883A ,2022-05-06

[7]

半导体元件及其制作方法 [P].

许得彰 ;

陈俊嘉 ;

王尧展 .

中国专利 :CN109545784A ,2019-03-29

[8]

半导体元件及其制作方法 [P].

李一凡 ;

苏柏青 ;

王裕夫 ;

蔡旻桦 ;

陈俤彬 ;

吴志强 ;

吴姿锦 .

中国专利 :CN115565878A ,2023-01-03

[9]

半导体元件及其制作方法 [P].

庄馥戎 ;

庄博仁 ;

王俞仁 ;

许启茂 ;

郭家铭 ;

黄冠崴 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN113314467B ,2024-08-27

[10]

半导体元件及其制作方法 [P].

林昭宏 ;

蔡世鸿 ;

郑志祥 ;

洪裕祥 .

中国专利 :CN107546119A ,2018-01-05

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