耐等离子体的钇铝氧化物体

被引：0

申请号：

CN202080078965.6

申请日：

2020-11-17

公开(公告)号：

CN114746377A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

L·沃克尔 S·比斯塔 M·J·多隆 S·R·肯尼迪

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

C04B3544

IPC分类号：

C04B35626 C04B35645 C04B3800 H01J3732

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘媛媛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/44 申请日:20201117
2022-07-12	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶金属氧化物等离子体室部件 [P].

许临 ;

道格拉斯·德特尔特 ;

约翰·多尔蒂 ;

潘卡基·哈扎里卡 ;

萨蒂什·斯里尼瓦桑 ;

纳什·W·安德森 ;

约翰·迈克尔·克恩斯 ;

罗宾·科什伊 ;

大卫·约瑟夫·韦策尔 ;

刘磊 ;

埃里克·A·派普 .

中国专利 :CN114631167A ,2022-06-14

[2]

耐等离子体性构件、等离子体处理装置用零件和等离子体处理装置 [P].

山城守 ;

久保善则 ;

行广圭司 .

日本专利 :CN114762090B ,2025-11-04

[3]

耐等离子体性构件、等离子体处理装置用零件和等离子体处理装置 [P].

山城守 ;

久保善则 ;

行广圭司 .

中国专利 :CN114762090A ,2022-07-15

[4]

用于耐等离子体性材料的氧化钇-氧化锆烧结陶瓷 [P].

L·沃克 ;

M·J·多隆 .

美国专利 :CN117440939A ,2024-01-23

[5]

耐等离子体部件、耐等离子体部件的制造方法以及耐等离子体部件的制造中使用的膜沉积装置 [P].

佐藤道雄 ;

日野高志 ;

中谷仁 ;

中村隆 .

中国专利 :CN106164325A ,2016-11-23

[6]

用于等离子体处理室部件的钇铝涂层 [P].

许临 ;

大卫·约瑟夫·韦策尔 ;

萨蒂什·斯里尼瓦桑 ;

罗宾·科什伊 ;

约翰·迈克尔·克恩斯 ;

约翰·多尔蒂 .

中国专利 :CN115003857A ,2022-09-02

[7]

耐等离子体构件 [P].

小林庆朗 ;

市岛雅彦 ;

横山优 .

中国专利 :CN100381390C ,2005-02-09

[8]

耐等离子体腐蚀部件及其制备方法，等离子体处理设备 [P].

孙祥 ;

段蛟 ;

陈星建 .

中国专利 :CN113522688B ,2021-10-22

[9]

导电、耐等离子体的构件 [P].

前田孝雄 ;

牧野勇一 ;

中野瑞 ;

植原一郎 .

中国专利 :CN101135033A ,2008-03-05

[10]

等离子体热喷涂被膜及其制备方法以及耐等离子体构件 [P].

洪基源 ;

郑东勋 .

韩国专利 :CN120026271A ,2025-05-23

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