半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410604149.0

申请日：

2014-10-30

公开(公告)号：

CN105590859A

公开(公告)日：

2016-05-18

发明(设计)人：

黄敬勇何其暘

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	授权	授权
2016-05-18	公开	公开
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665079424 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014106041490 申请日:20141030

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885B ,2024-03-22

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885A ,2021-10-12

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104617093B ,2015-05-13

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

樊永帅 ;

付宇 ;

柴杉杉 ;

薛晓凡 .

中国专利 :CN120456575A ,2025-08-08

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

王文博 .

中国专利 :CN114864653A ,2022-08-05

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103915384A ,2014-07-09

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105826236A ,2016-08-03

[10]

半导体结构及其形成方法和半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN113539944A ,2021-10-22

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