半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310006390.9

申请日：

2013-01-08

公开(公告)号：

CN103915384A

公开(公告)日：

2014-07-09

发明(设计)人：

洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21768 H01L21336 H01L27088 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	公开	公开
2014-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584239327 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2013100063909 申请日:20130108
2016-08-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

樊永帅 ;

付宇 ;

柴杉杉 ;

薛晓凡 .

中国专利 :CN120456575A ,2025-08-08

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

王文博 .

中国专利 :CN114864653A ,2022-08-05

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885B ,2024-03-22

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885A ,2021-10-12

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN105590859A ,2016-05-18

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

郑喆 .

中国专利 :CN106206304A ,2016-12-07

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113224057A ,2021-08-06

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104617093B ,2015-05-13

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

景友亮 ;

范朋伟 .

中国专利 :CN120711817A ,2025-09-26

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

周永昌 .

中国专利 :CN116313810B ,2025-12-16

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