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承载大电流的SOP器件封装结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201720167619.0
申请日
:
2017-02-23
公开(公告)号
:
CN206595249U
公开(公告)日
:
2017-10-27
发明(设计)人
:
彭兴义
张春尧
周建军
申请人
:
申请人地址
:
224005 江苏省盐城市盐都区高新区智能终端产业园3号厂房
IPC主分类号
:
H01L23495
IPC分类号
:
H01L2331
H01L23367
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-10-27
授权
授权
共 50 条
[1]
一种承载大电流的SOP封装结构
[P].
付辉辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
付辉辉
.
中国专利
:CN205376506U
,2016-07-06
[2]
一种大电流功率器件封装结构
[P].
李国琪
论文数:
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李国琪
.
中国专利
:CN210516699U
,2020-05-12
[3]
一种大电流功率半导体器件的封装结构
[P].
朱袁正
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朱袁正
;
朱久桃
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朱久桃
;
余传武
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余传武
;
陈慧玲
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陈慧玲
.
中国专利
:CN206116387U
,2017-04-19
[4]
一种大电流功率半导体器件的封装结构
[P].
朱袁正
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朱袁正
;
朱久桃
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朱久桃
;
叶鹏
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叶鹏
;
杲永亮
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杲永亮
.
中国专利
:CN205984966U
,2017-02-22
[5]
芯片封装的新型SOP结构
[P].
彭兴义
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彭兴义
;
张春尧
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张春尧
;
周建军
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周建军
.
中国专利
:CN206532770U
,2017-09-29
[6]
大电流半导体器件结构
[P].
江炳煌
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江炳煌
.
中国专利
:CN203760459U
,2014-08-06
[7]
高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构
[P].
陈建斌
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陈建斌
.
中国专利
:CN202917472U
,2013-05-01
[8]
大电流半导体器件
[P].
张春尧
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张春尧
;
彭兴义
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0
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彭兴义
.
中国专利
:CN206672916U
,2017-11-24
[9]
适用于承载大电流的圆柱电芯电池组封装结构
[P].
敬良胜
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敬良胜
;
夏甫根
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夏甫根
;
贾伟
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贾伟
;
倪飞
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倪飞
.
中国专利
:CN208111562U
,2018-11-16
[10]
功率模块的封装结构及大电流模块
[P].
李现兵
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李现兵
;
岳瑞峰
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岳瑞峰
;
王燕
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王燕
.
中国专利
:CN218414576U
,2023-01-31
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