凸块制造工艺及其结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110423997.8

申请日：

2011-12-13

公开(公告)号：

CN103165481B

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

郭志明邱奕钏何荣华

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市东区力行五路3号

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L23488

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494122697 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2011104239978 申请日:20111213
2013-06-19	公开	公开
2015-07-15	授权	授权

共 50 条

[1]

凸块制造工艺及其结构 [P].

谢庆堂 ;

郭志明 .

中国专利 :CN102867758B ,2013-01-09

[2]

凸块结构及制造工艺 [P].

施政宏 ;

郭士祯 ;

陈文童 .

中国专利 :CN102790016A ,2012-11-21

[3]

凸块工艺及其结构 [P].

何荣华 ;

郭志明 ;

庄坤树 .

中国专利 :CN102800599A ,2012-11-28

[4]

凸块工艺 [P].

郭志明 ;

戴华安 ;

林政帆 ;

邱奕钏 ;

谢永伟 .

中国专利 :CN103165482A ,2013-06-19

[5]

晶片结构以及凸块制造工艺 [P].

王俊恒 .

中国专利 :CN100435298C ,2007-06-27

[6]

凸块结构 [P].

郭志明 ;

邱奕钏 ;

何荣华 .

中国专利 :CN202384329U ,2012-08-15

[7]

微细间距凸块结构 [P].

施政宏 ;

谢永伟 ;

林淑真 ;

林政帆 ;

戴华安 .

中国专利 :CN202651097U ,2013-01-02

[8]

微细间距凸块结构 [P].

施政宏 ;

谢永伟 ;

林淑真 ;

林政帆 ;

戴华安 .

中国专利 :CN202651096U ,2013-01-02

[9]

晶圆凸块下金属化的镀层制造工艺及其镀层结构 [P].

王江锋 ;

洪学平 ;

汪文珍 .

中国专利 :CN112382579A ,2021-02-19

[10]

具有导电凸块的覆晶基板及其导电凸块的制造方法 [P].

谢翰坤 ;

林蔚峰 .

中国专利 :CN1492491A ,2004-04-28

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