辐射源、光刻设备以及器件制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980128327.4
申请日
2009-07-29
公开(公告)号
CN102099747B
公开(公告)日
2011-06-15
发明(设计)人
A·M·雅库尼恩 V·Y·班尼恩 J·H·J·莫尔斯 L·A·斯佳梅诺克
申请人
申请人地址
荷兰维德霍温
IPC主分类号
G03F720
IPC分类号
G02B520
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
王波波
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[41]
辐射源测试 [P]. 
R·A·布尔德特 ;
T·P·达菲 .
美国专利 :CN114631061B ,2025-09-12
[42]
光刻设备、辐射系统、器件制造方法以及碎片减少方法 [P]. 
O·弗里基恩斯 ;
J·弗兰肯 ;
K·杰里森 .
中国专利 :CN102216853B ,2011-10-12
[43]
包括液滴加速器的EUV辐射源以及光刻设备 [P]. 
W·麦斯特姆 ;
E·鲁普斯特拉 ;
G·斯温克尔斯 ;
E·布耳曼 .
中国专利 :CN102696283A ,2012-09-26
[44]
具有等离子体辐射源的设备和形成辐射束的方法以及光刻设备 [P]. 
V·M·克里夫特逊 ;
V·Y·班尼恩 ;
V·V·伊娃诺夫 ;
E·D·克洛普 ;
K·N·克什烈夫 ;
Y·V·斯戴尼克夫 ;
O·雅克什夫 .
中国专利 :CN102681362A ,2012-09-19
[45]
源收集器设备、光刻设备以及器件制造方法 [P]. 
E·鲁普斯特拉 ;
V·班尼恩 ;
G·斯温克尔斯 ;
S·皮克尔德 ;
D·兰贝特斯基 ;
U·斯坦姆 ;
W·N·帕特劳 .
中国专利 :CN102576195B ,2012-07-11
[46]
具有等离子体辐射源的设备和形成辐射束的方法以及光刻设备 [P]. 
V·M·克里夫特逊 ;
V·Y·班尼恩 ;
V·V·伊娃诺夫 ;
E·D·克洛普 ;
K·N·克什烈夫 ;
Y·V·斯戴尼克夫 ;
O·雅克什夫 .
中国专利 :CN101606104A ,2009-12-16
[47]
极紫外辐射源装置 [P]. 
杨基 ;
林圣达 ;
钟仁阳 ;
简上傑 ;
陈立锐 ;
郑博中 .
中国专利 :CN110837208A ,2020-02-25
[48]
极紫外辐射源装置 [P]. 
吕建兴 ;
涂志强 ;
温志伟 ;
曾信富 ;
徐子正 .
中国专利 :CN222461889U ,2025-02-11
[49]
微型LED紫外辐射源及其制造方法 [P]. 
岸本克彦 .
中国专利 :CN113614935A ,2021-11-05
[50]
光刻设备、器件制造方法、以及由此制造的器件 [P]. 
J·H·J·穆尔斯 ;
J·C·L·弗兰肯 ;
U·米坎 ;
H·-J·沃尔马 .
中国专利 :CN1648777A ,2005-08-03