用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210817896.7

申请日：

2022-07-13

公开(公告)号：

CN114895522A

公开(公告)日：

2022-08-12

发明(设计)人：

季明华任新平黄早红

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国上海市临港新片区层林路688号1号楼5楼

IPC主分类号：

G03F122

IPC分类号：

G03F154 G03F176

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

无掩模版光刻设备和无掩模版光刻的方法 [P].

杨保平 .

中国专利 :CN115113491A ,2022-09-27

[2]

光刻掩模版以及掩模版图案成型方法 [P].

孟祥鹏 ;

孙延涛 ;

陈庆煌 ;

刘志成 .

中国专利 :CN113156760A ,2021-07-23

[3]

用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版 [P].

王辉 ;

张雪 .

中国专利 :CN110501872A ,2019-11-26

[4]

掩模版版图的修正方法、掩模版、超表面结构 [P].

孙磊 ;

何健民 ;

史坦 ;

王宇辉 .

中国专利 :CN120029002A ,2025-05-23

[5]

掩模版版图的修正方法、掩模版、超表面结构 [P].

何健民 ;

孙磊 ;

史坦 ;

王宇辉 .

中国专利 :CN120029001A ,2025-05-23

[6]

掩模版及其制备方法、半导体器件的制备方法 [P].

张弓玉帛 ;

杨慧 ;

钭诗恩 ;

张孟龙 ;

李福松 .

中国专利 :CN119781241A ,2025-04-08

[7]

应用于台阶结构的掩模版及其形成方法 [P].

陈志刚 .

中国专利 :CN110597010A ,2019-12-20

[8]

带有散射条的掩模版组合及光刻方法 [P].

王伟斌 .

中国专利 :CN101566789A ,2009-10-28

[9]

光掩模，制造光掩模的方法以及使用其的光刻方法和系统 [P].

许圣民 ;

金熙范 ;

李东根 ;

全爘旭 .

中国专利 :CN1881086A ,2006-12-20

[10]

曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机 [P].

季明华 ;

任新平 ;

黄早红 .

中国专利 :CN114859675A ,2022-08-05

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