半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200510009366.6
申请日
2005-02-17
公开(公告)号
CN1658387A
公开(公告)日
2005-08-24
发明(设计)人
龟山工次郎 铃木彰 冈山芳央 梅本光雄 高桥健司 寺尾博 星野雅孝
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L23522
IPC分类号
H01L21768
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
李贵亮;杨梧
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
岩松俊明 .
中国专利 :CN1209650A ,1999-03-03
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
古贺洋贵 .
中国专利 :CN1229270A ,1999-09-22
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
松野光一 .
中国专利 :CN101150090A ,2008-03-26
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
船矢琢央 ;
五十岚孝行 .
中国专利 :CN105051886B ,2015-11-11
[5]
半导体装置的制造方法和半导体装置 [P]. 
谷口浩二 .
中国专利 :CN1192045A ,1998-09-02
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
筱原正昭 ;
渡部浩三 ;
大和田福夫 ;
青山卓史 .
中国专利 :CN1542974A ,2004-11-03
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
渡部浩三 ;
神永道台 ;
堀田胜彦 .
中国专利 :CN101047152A ,2007-10-03
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
筱原正昭 .
中国专利 :CN107039454A ,2017-08-11
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
大芦敏行 ;
新川田裕树 .
中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
前田真一 .
中国专利 :CN107863342A ,2018-03-30