硅基压力传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510571202.6

申请日：

2015-09-09

公开(公告)号：

CN105181187A

公开(公告)日：

2015-12-23

发明(设计)人：

李颖张治国刘剑张哲郑东明梁峭张娜祝永峰于子涵

申请人：

申请人地址：

110043 辽宁省沈阳市大东区北海街242号

IPC主分类号：

G01L114

IPC分类号：

代理机构：

沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234

代理人：

崔红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-23	公开	公开
2018-07-10	授权	授权
2016-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643354000 IPC(主分类):G01L 1/14 专利申请号:2015105712026 申请日:20150909

共 50 条

[41]

压力传感器及其制造方法 [P].

张锋 ;

牟昌华 ;

赵迪 ;

胡蕾 ;

随辰 ;

王圻 ;

栗晓 ;

李召兴 ;

杨庆利 ;

彭振 ;

邓博文 .

中国专利 :CN114754916A ,2022-07-15

[42]

压力传感器及其制造方法 [P].

丁伊央 ;

彭章军 ;

张东英 ;

帅斌 ;

唐海军 ;

陈永奇 .

中国专利 :CN118190230A ,2024-06-14

[43]

压力传感器及其制造方法 [P].

皮本松 ;

王泽 .

中国专利 :CN119618428A ,2025-03-14

[44]

压力传感器及其制造方法 [P].

F·冯布吕歇尔 ;

M·黑勒 ;

J·赫夫勒 ;

S·布兰登伯格 .

:CN120008802A ,2025-05-16

[45]

压力传感器及其制造方法 [P].

王立会 ;

李月 ;

魏秋旭 ;

任艳飞 ;

张韬楠 ;

郭伟龙 ;

常文博 ;

丁丁 .

中国专利 :CN115541068A ,2022-12-30

[46]

压力传感器及其制造方法 [P].

竹菴宪治 ;

黑田道毅 ;

宫川治彦 .

中国专利 :CN1208607C ,2003-10-15

[47]

压力传感器及其制造方法 [P].

李刚 ;

刘迪 ;

胡维 ;

吕萍 .

中国专利 :CN109809355A ,2019-05-28

[48]

压力传感器及其制造方法 [P].

张锋 ;

牟昌华 ;

赵迪 ;

胡蕾 ;

随辰 ;

王圻 ;

栗晓 ;

李召兴 ;

杨庆利 ;

彭振 ;

邓博文 .

中国专利 :CN114754916B ,2024-01-09

[49]

压力传感器及其制造方法 [P].

周志健 ;

余伦宙 ;

熊娟 ;

赵怿 .

中国专利 :CN112880884B ,2025-05-02

[50]

硅压力传感器 [P].

李吉明 .

中国专利 :CN2476012Y ,2002-02-06

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