硅基压力传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510571202.6

申请日：

2015-09-09

公开(公告)号：

CN105181187A

公开(公告)日：

2015-12-23

发明(设计)人：

李颖张治国刘剑张哲郑东明梁峭张娜祝永峰于子涵

申请人：

申请人地址：

110043 辽宁省沈阳市大东区北海街242号

IPC主分类号：

G01L114

IPC分类号：

代理机构：

沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234

代理人：

崔红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-23	公开	公开
2018-07-10	授权	授权
2016-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643354000 IPC(主分类):G01L 1/14 专利申请号:2015105712026 申请日:20150909

共 50 条

[1]

一种硅基压力传感器 [P].

李颖 ;

张治国 ;

刘剑 ;

张哲 ;

郑东明 ;

梁峭 ;

张娜 ;

祝永峰 ;

于子涵 .

中国专利 :CN204924513U ,2015-12-30

[2]

硅电容压力传感器 [P].

张治国 ;

李颖 ;

祝永峰 .

中国专利 :CN2667667Y ,2004-12-29

[3]

柔性硅基压力传感器及其制造方法 [P].

冯雪 ;

杜琦峰 ;

陈颖 .

中国专利 :CN118258530A ,2024-06-28

[4]

柔性硅基压力传感器及其制造方法 [P].

冯雪 ;

杜琦峰 ;

陈颖 .

中国专利 :CN118258528A ,2024-06-28

[5]

平面型硅压力传感器及其制造方法 [P].

程晓华 ;

方精训 ;

彭仕敏 ;

金峰 ;

刘远良 ;

邓镭 .

中国专利 :CN102338681A ,2012-02-01

[6]

压力传感器芯片及其制造方法和压力传感器 [P].

陈碧亮 .

中国专利 :CN111811696A ,2020-10-23

[7]

硅电容压力传感器 [P].

张治国 ;

李颖 ;

张娜 ;

周磊 ;

刘剑 .

中国专利 :CN102654426A ,2012-09-05

[8]

硅高温压力传感器 [P].

张维新 ;

朱秀文 ;

毛赣如 .

中国专利 :CN2110217U ,1992-07-15

[9]

压力传感器及其制造方法 [P].

齐藤充浩 ;

大岛裕太 ;

山岸健 .

中国专利 :CN106546373B ,2017-03-29

[10]

压力传感器及其制造方法 [P].

谷田胜纪 ;

村田毅司 ;

藤本尚纪 ;

山田雅央 .

中国专利 :CN105008882B ,2015-10-28

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